ADS8325
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SBAS226A
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电的 特性: v
DD
= +5v
在 推荐 运行 自由-空气 温度 在
–
40
°
c 至 +85
°
c, v
REF
= +5v,
–
在 = 地, f
样本
= 100khz, 和 f
CLK
= 24
•
f
样本
, 除非 否则 指出.
ADS8325I ADS8325IB
参数 情况 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位
相似物 输入
全部-规模 范围 FSR +IN
–
(
–
在) 0 V
REF
✻✻
V
运行 一般模式 信号
–
0.3 0.5
✻✻
V
输入 阻抗
–
在 = 地 5
✻
G
Ω
输入 电容
–
在 = 地, 在 抽样 45
✻
pF
输入 泄漏 电流
–
在 = 地
±
50
✻
nA
差别的 输入 电容 +in 至
–
在, 在 抽样 20
✻
pF
全部-电源 bandwith FSBW f
S
sinewave, sinad 在
–
3dB 20
✻
kHz
直流 精度
决议 16
✻
位
非 missing 代号 NMC 15 16 位
integral 线性 错误 INL
±
3
±
6
±
1.5
±
4LSB
补偿 错误 V
OS
±
0.75
±
1.5
±
0.5
±
1mV
补偿 错误 逐渐变化 TCV
OS
±
0.2
✻
ppm/
°
C
增益 错误 G
ERR
±
24
±
12 LSB
增益 错误 逐渐变化 TCG
ERR
±
0.3
✻
ppm/
°
C
噪音 20
✻
µ
电压有效值
电源-供应 拒绝 4.75v
≤
V
DD
≤
5.25 3
✻
LSB
抽样 dynamics
转换 时间 t
CONV
24khz < f
CLK
≤
2.4mhz 6.667 666.7
✻✻
µ
s
acquisition 时间 t
AQ
f
CLK
= 2.4mhz 1.875
✻
µ
s
全部地 比率 100
✻
kSPS
时钟 频率 0.024 2.4
✻✻
MHz
交流 精度
总的 调和的 扭曲量 THD 5vp-p sinewave, 在 1khz
–
100
–
106 dB
spurious-自由 动态 范围 SFDR 5vp-p sinewave, 在 1khz
–
100
–
108 dB
信号-至-噪音 比率 SNR
–
90
–
91 dB
信号-至-噪音 + 扭曲量 SINAD 5vp-p sinewave, 在 1khz
–
90
–
91 dB
有效的 号码 的 位 ENOB 14.6 14.7 位
电压 涉及 输入
涉及 电压 2.5
V
DD
+ 0.3
✻✻
V
涉及 输入 阻抗 cs = 地, f
样本
= 0hz 5
✻
k
Ω
cs = v
DD
5
✻
G
Ω
涉及 输入 电容 20
✻
pF
涉及 输入 电流 1 1.5
✻✻
毫安
cs = v
DD
0.1
✻✻
µ
一个
数字的 输入
(1)
逻辑 家族 CMOS
✻
高-水平的 输入 电压 V
IH
0.7
•
V
DD
V
DD
+ 0.3
✻✻
V
低-水平的 输入 电压 V
IL
–
0.3 0.3
•
V
DD
✻✻
V
输入 电流 I
在
V
I
= v
DD
或者 地
±
50 nA
输入 电容 C
I
5
✻
pF
数字的 输出
(1)
逻辑 家族 CMOS
✻
高-水平的 输出 电压 V
OH
V
DD
= 4.5v, i
OH
=
–
100
µ
一个 4.44
✻
V
低-水平的 输出 电压 V
OL
V
DD
= 4.5v, i
OL
= 100
µ
一个 0.5
✻
V
高-阻抗-状态 输出 电流 I
OZ
cs = v
DD
, v
I
= v
DD
或者 地
±
50
✻
nA
输出 电容 C
O
5
✻
pF
加载 电容 C
L
30
✻
pF
数据 format 笔直地 二进制的
✻
✻
indicates 这 一样 规格 作 这 ads8325i.
便条: (1) 应用 为 5.0v 名义上的 供应: v
DD
(最小值) = 4.5v 和 v
DD
(最大值) = 5.5v.
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