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半导体 组 3 dec-09-1996
bcr 48pn
电的 特性
在
T
一个
=25°c, 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性 为 pnp 类型
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 100 µa,
I
B
= 0
V
(br)ceo
50 - -
V
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 100 µa,
I
B
= 0
V
(br)cbo
50 - -
集电级 截止 电流
V
CB
= 40 v,
I
E
= 0
I
CBO
- - 100
nA
发射级 截止 电流
V
EB
= 5 v,
I
C
= 0
I
EBO
- - 164
直流 电流 增益
I
C
= 5 毫安,
V
CE
= 5 v, bc ... 16 w
h
FE
70 - -
-
集电级-发射级 饱和 电压  1)
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0.5 毫安
V
CEsat
- - 0.3
V
输入 止 电压
I
C
= 100 µa,
V
CE
= 5 v
V
i(止)
0.4 - 0.8
输入 在 电压
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 0.3 v
V
i(在)
0.5 - 1.1
输入 电阻
R
1
1.5 2.2 2.9 k
Ω
电阻 比率
R
1
/
R
2
0.042 0.047 0.052 -
交流 特性 为 pnp 类型
转变 频率
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 100 mhz
f
T
- 200 -
MHz
集电级-根基 电容
V
CB
= 10 v,
f
= 1 mhz
C
cb
- 3 -
pF
1) 脉冲波 测试: t < 300
µ
s; d < 2%

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半导体组 3 dec-09-1996 bcr 48pn 电的特性在 T 一个 =25°c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值直流特性为 pnp 类型集电级-发射级损坏电压 I C = 100 µa, I B = 0 V (br)ceo 50 - - V 集电级-根基损坏电压 I C = 100 µa, I B = 0 V (br)cbo 50 - - 集电级截止电流 V CB = 40 v, I E = 0 I CBO - - 100 nA 发射级截止电流 V EB = 5 v, I C = 0 I EBO - - 164 直流电流增益 I C = 5 毫安, V CE = 5 v, bc ... 16 w h FE 70 - - - 集电级-发射级饱和电压 1) I C = 10 毫安, I B = 0.5 毫安 V CEsat - - 0.3 V 输入止电压 I C = 100 µa, V CE = 5 v V i(止) 0.4 - 0.8 输入在电压 I C = 2 毫安, V CE = 0.3 v V i(在) 0.5 - 1.1 输入电阻 R 1 1.5 2.2 2.9 k Ω 电阻比率 R 1 / R 2 0.042 0.047 0.052 - 交流特性为 pnp 类型转变频率 I C = 10 毫安, V CE = 5 v, f = 100 mhz f T - 200 - MHz 集电级-根基电容 V CB = 10 v, f = 1 mhz C cb - 3 - pF 1) 脉冲波测试: t < 300 µ s; d < 2%

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