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资料编号:911659
 
资料名称:BZX55C4V7
 
文件大小: 199K
   
说明
 
介绍:
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF GLASS SILICON ZENER DIODES
 
 


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bzx55c...
vishay telefunken
rev. 4, 01-apr-99 3 (6)
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
文档 号码 85605
特性
(t
j
= 25
_
c 除非 否则 指定)
95 9611
0 5 10 15
0
100
200
300
400
500
20
r – therm. resist. 接合面 / 包围的 ( k/w )
thJA
l – 含铅的 长度 ( mm )
ll
T
L
=constant
图示 1. 热的 阻抗 vs. 含铅的 长度
0 40 80 120 160
0
100
300
400
500
600
p – 总的 电源 消耗 ( mw )
tot
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
200
95 9602
200
图示 2. 总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
0 5 10 15 20
1
10
100
1000
v – 电压 改变 ( mv )
Z
V
Z
– z-电压 ( v )
25
95 9598
D
I
Z
=5mA
T
j
=25
°
C
图示 3. 典型 改变 的 working 电压
下面 运行 情况 在 t
amb
=25
°
C
–60 0 60 120 180
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
v – 相关的 电压 改变
Ztn
T
j
– 接合面 温度 (
°
c )
240
95 9599
V
Ztn
=V
Zt
/v
Z
(25
°
c)
TK
VZ
=10
10
–4
/k
8
10
–4
/k
–4
10
–4
/k
6
10
–4
/k
4
10
–4
/k
2
10
–4
/k
–2
10
–4
/k
0
图示 4. 典型 改变 的 working 电压 vs.
接合面 温度
0102030
–5
0
5
10
15
tk – 温度 系数 的 v ( 10 /k)
VZ
V
Z
– z-电压 ( v )
50
95 9600
40
Z
–4
I
Z
=5mA
图示 5. 温度 系数 的 vz vs. z–voltage
0 5 10 15
0
50
100
150
200
c – 二极管 电容 ( pf )
D
V
Z
– z-电压 ( v )
25
95 9601
20
T
j
=25
°
C
V
R
=2V
图示 6. 二极管 电容 vs. z–voltage
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