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资料编号:917040
 
资料名称:CY7C199-35VC
 
文件大小: 317K
   
说明
 
介绍:
32K x 8 Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CY7C199
文档 #: 38-05160 rev. *a 页 6 的 13
写 循环 非. 1 (我们 控制)
[10, 15, 16]
写 循环 非. 2 (ce 控制)
[10, 15, 16]
写 循环 非. 3 (我们 控制 oe低)
[11, 16]
注释:
15. 数据 i/o 是 高 阻抗 如果 oe
= v
IH
.
16. 如果 ce
变得 高 同时发生地 和 我们高, 这 输出 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态.
切换 波形
(持续)
t
HD
t
SD
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
WC
数据 i/o
地址
CE
我们
OE
t
HZOE
数据
VALID
t
WC
t
AW
t
SA
t
HA
t
HD
t
SD
t
SCE
我们
数据 i/o
地址
CE
数据
VALID
数据 i/o
地址
t
HD
t
SD
t
LZWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
WC
CE
我们
t
HZWE
数据
VALID
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