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资料编号:922830
 
资料名称:IDT7025S25PFB
 
文件大小: 294K
   
说明
 
介绍:
HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
 
 


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10
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
6.16 6
idt7025s/l
高-速 8k x 16 双-端口 静态的 内存 军队 和 商业的 温度 范围
直流 电的 特性 在 这
运行 温度 和 供应 电压 范围
(1)
(内容'd.)
(v
CC
= 5.0v
±
10%)
7025X35 7025X55 7025X70
测试 mil. 仅有的
标识 参数 情况 版本 典型值
(2)
最大值 典型值
(2)
最大值 典型值
(2)
最大值 单位
I
CC
动态 运行
CE
= v
IL
, 输出 打开 mil. S 150 300 150 300 140 300 毫安
电流
SEM
= v
IH
L 150 250 150 250 140 250
(两个都 端口 起作用的) f = f
最大值
(3)
com’l. S 150 250 150 250
L 150 210 150 210
I
SB1
备用物品 电流
CE
L
=
CE
R
= v
IH
mil. S 13 80 13 80 10 80 毫安
(两个都 端口 — ttl
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
L13 65 13651065
水平的 输入) f = f
最大值
(3)
com’l. S 13 60 13 60
L13 50 13 50
I
SB2
备用物品 电流
CE
"一个"
=V
il 和
CE
"b"
=V
IH
(5)
mil. S 85 190 85 190 80 190 毫安
(一个 端口 — ttl 起作用的 端口 输出 打开 L 85 160 85 160 80 160
水平的 输入) f = f
最大值
(3)
com’l. S 85 155 85 155
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
L 85 130 85 130
I
SB3
全部 备用物品 电流 两个都 端口
CE
L
mil. S 1.0 30 1.0 30 1.0 30 毫安
(两个都 端口 — 所有
CE
R
> v
CC
- 0.2v L 0.2 10 0.2 10 0.2 10
cmos 水平的 输入) V
> v
CC
- 0.2v 或者 com’l. S 1.0 15 1.0 15
V
< 0.2v, f = 0
(4)
L 0.2 5 0.2 5
SEM
R
=
SEM
L
> v
CC
- 0.2v
I
SB4
全部 备用物品 电流
CE
"一个"
< 0.2 和 mil. S 80 175 80 175 75 175 毫安
(一个 端口 — 所有
CE
"b"
> v
CC
- 0.2v
(5)
L 80 150 80 150 75 150
cmos 水平的 输入)
SEM
R
=
SEM
L
> v
CC
- 0.2v
V
> v
CC
- 0.2v 或者 com’l. S 80 135 80 135
V
< 0.2v, L 80 110 80 110
起作用的 端口 输出 打开,
f = f
最大值
(3)
注释:
2683 tbl 10
1. "x" 在 部分 号码 indicates 电源 比率 (s 或者 l).
2. V
CC
= 5v, t
一个
= +25
°
c, 和 是 不 生产 测试.
3. 在 f = f
最大值
,
地址 和 i/o'
S
是 cycling 在 这 最大 频率 读 循环 的 1/trc, 和 使用 “ac 测试 conditions” 的 输入 水平 的 地 至 3v.
4. f = 0 意思 非 地址 或者 控制 线条 改变.
5. 端口 "一个" 将 是 也 left 或者 正确的 端口. 端口 "b" 是 这 opposite 从 端口 "a".
数据 保持 模式
V
CC
CE
2683 drw 05
4.5v
t
CDR
t
R
V
IH
V
DR
V
IH
4.5v
V
DR
2V
数据 保持 波形
数据 保持 特性 在 所有 温度 范围 (l 版本 仅有的)
(v
LC
= 0.2v, v
HC
= v
CC
- 0.2v)
(4)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值 单位
V
DR
V
CC
为 数据 保持 V
CC
= 2v 2.0 V
I
CCDR
数据 保持 电流
CE
> v
HC
mil. 100 4000
µ
一个
V
> v
HC
或者
<
V
LC
com’l. 100 1500
t
CDR
(3)
碎片 deselect 至 数据 保持 时间
SEM
> v
HC
0——ns
t
R
(3)
运作 恢复 时间 t
RC
(2)
——ns
注释:
2683 tbl 11
1. T
一个
= +25
°
c, v
CC
= 2v, 和 是 用 描绘 但是 是 不 生产 测试.
2. t
RC
= 读 循环 时间
3. 这个 参数 是 有保证的 用 设备 描绘 但是 是 不 生产 测试.
4
.
在 vcc < 2.0v, 输入 leakages 是 不 定义.
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