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 IHW40T120
^
软 切换 序列
电源 半导体
9 rev. 2   三月-04
V
GE
,
门
-
发射级 电压
0nC 50nC 100nC 150nC 200nC 250nC
0V
5V
10V
15V
960V
240V
c,
电容
0V 10V 20V
10pF
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
Q
GE
,
门 承担
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
图示 17. 典型 门 承担
(
I
C
=40 一个)
图示 18. 典型 电容 作 一个 函数
的 集电级-发射级 电压
(
V
GE
=0v,
f
= 1 mhz)
  
  
t
SC
,
短的 电路 承受 时间
12V 14V 16V
0µs
5µs
10µs
15µs
I
c(sc)
, 短的 电路
集电级 电流
12V 14V 16V 18V
0A
100A
200A
300A
V
GE
,
门
-
emittetr 电压
V
GE
,
门
-
emittetr 电压
图示 19. 短的 电路 承受 时间 作 一个
函数 的 门-发射级 电压
(
V
CE
=600V
,
开始 在
T
J
=
25°C
)
图示 20. 典型 短的 电路 集电级
电流 作 一个 函数 的 门-
发射级 电压
(
V
CE
≤
600v,
T
j
≤
150
°
c)

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IHW40T120 ^ 软切换序列电源半导体 9 rev. 2 三月-04 V GE , 门 - 发射级电压 0nC 50nC 100nC 150nC 200nC 250nC 0V 5V 10V 15V 960V 240V c, 电容 0V 10V 20V 10pF 100pF 1nF C rss C oss C iss Q GE , 门承担 V CE , 集电级 - 发射级电压图示 17. 典型门承担 ( I C =40 一个) 图示 18. 典型电容作一个函数的集电级-发射级电压 ( V GE =0v, f = 1 mhz) t SC , 短的电路承受时间 12V 14V 16V 0µs 5µs 10µs 15µs I c(sc) , 短的电路集电级电流 12V 14V 16V 18V 0A 100A 200A 300A V GE , 门 - emittetr 电压 V GE , 门 - emittetr 电压图示 19. 短的电路承受时间作一个函数的门-发射级电压 ( V CE =600V , 开始在 T J = 25°C ) 图示 20. 典型短的电路集电级电流作一个函数的门- 发射级电压 ( V CE ≤ 600v, T j ≤ 150 ° c)

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