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资料编号:923915
 
资料名称:IRL530N
 
文件大小: 193K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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维度 是 显示 在 毫米 (英寸)
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S@8UDAD@S
DIU@SI6UDPI6G
便条:
"p" 在 组装 线条
位置 indicates "含铅的-自由"
含铅的 assignments
1 - 门
2 - 流
3 - 源
4 - 流
- b -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
3X
0.55 (.022)
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.64 (.104)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
1.15 (.045)
最小值
6.47 (.255)
6.10 (.240)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- 一个 -
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
2.54 (.100)
2X
0.36 (.014) m b 一个 m
4
1 2 3
注释:
1 dimensioning &放大; tolerancing 每 ansi y14.5m, 1982. 3 外形 遵从 至 电子元件工业联合会 外形 至-220ab.
2 controlling 维度 : inch 4 散热器 &放大; 含铅的 度量 做 nOt 包含 burrs.
HEXFET
1- 门
2- 流
3- 源
4- 流
含铅的 assignments
igbts, copack
1- 门
2- 集电级
3- 发射级
4- 集电级
例子:
S EMBLYLINE "c"
这个 一个N IRF1010
LOT 代号 1789
ASSEMBLED ww19, 1997
PART 号码
一个SSEMBLY
LOT 代号
DATE代号
YE 一个R7= 1997
线条 C
WEEK19
标志
整流器
INTERNATIONAL
为 gb 生产
数据 和 规格 主题 至 改变 没有 注意.
ir world 总部:
233 kansas st., el segundo, 加利福尼亚 90245, usa 电话: (310) 252-7105
tac 传真: (310) 252-7903
visit 美国 在 www.irf.com 为 销售 联系 信息
.
01/04
至-220ab 包装 是 不 推荐 为 表面 挂载 应用.
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