slvs519 − 将 2004
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电的 特性 (持续)
T
J
= –40
°
c 至 125
°
c, vin = 4.5 v 至 20 v (除非 否则 指出)
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
电流 限制
电流 限制 vin = 12 v 3.3 4.5 6.5 一个
电流 限制 hiccup 时间
(1)
f
s
= 500 khz 4.5 ms
热的 关闭
热的 关闭 trip 要点
(1)
165
C
热的 关闭 hysteresis
(1)
7
C
低 一侧 场效应晶体管 驱动器 (lsg 管脚)
转变 在 上升 时间, (10%/90%)
(1)
vin = 4.5 v, 电容的 加载 = 1000 pf
15 ns
Deadtime
(1)
vin = 12 v
60 ns
驱动器 在 阻抗
vin = 4.5 v 下沉/源
7.5
Ω
驱动器 在 阻抗
vin = 12 v 下沉/源
5
Ω
输出 电源 mosfets (ph 管脚)
阶段 node 电压 当 无能 直流 情况 和 非 加载, ena = 0 v
0.5 V
电压 漏出, 低 一侧 场效应晶体管 和 二极管
vin = 4.5 v, idc = 100 毫安
1.13 1.42
V
电压 漏出, 低 一侧 场效应晶体管 和 二极管
vin = 12 v, idc = 100 毫安
1.08 1.38
V
r
ds(在)
高 一侧 电源 场效应晶体管 转变
(2)
vin = 4.5 v, boot−ph = 4.5 v, i
O
= 0.5 一个
150 300
m
Ω
r
ds(在)
高 一侧 电源 场效应晶体管 转变
(2)
vin = 12 v, boot−ph = 8 v, i
O
= 0.5 一个
100 200
m
Ω
(1)
保证 用 设计, 不 生产 测试.
(2)
阻抗 从 vin 至 ph 管脚.
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