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资料编号:92395
 
资料名称:TPS51116PWP
 
文件大小: 667.65K
   
说明
 
介绍:
COMPLETE DDR AND DDR2 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE
 
 


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TPS51116
SLUS609A–MAY2004–REVISEDJUNE2004
electricalcharacteristics(持续)
overoperatingfree-airtemperaturerange,v
V5IN
=5v,vldoinisconnectedtovddqoutput(unlessotherwisenoted)
PARAMETERTESTCONDITIONSMINTYPMAXUNIT
T
一个
=25
°
c,adjustablemode742.5750.0757.5
V
VDDQSET
VDDQSETregulationvoltage0
°
C
T
一个
85
°
c,adjustablemode740.2750.0759.8mv
-40
°
C
T
一个
85
°
c,adjustablemode738.0750.0762.0
V
VDDQSET
=0V215
R
VDDQSNS
inputimpedance,vddqsnsv
VDDQSET
=5V180k
Adjustablemode460
V
VDDQSET
=0.78v,竞赛=打开-0.04
I
VDDQSET
inputcurrent,vddqsetµa
V
VDDQSET
=0.78v,竞赛=5v-0.06
V
S3
=V
S5
=0v,v
VDDQSNS
=0.5v,
I
VDDQDisch
dischargecurrent,vddq1040
V
模式
=0V
毫安
V
S3
=V
S5
=0v,v
VDDQSNS
=0.5v,
I
VDDOINDisch
dischargecurrent,vldoin700
V
模式
=0.5v
TRANSCONDUCTANCEAMPLIFIER
gmGainT
一个
=25
°
C240300360µS
compmaximumsinkcur-v
S3
=0v,v
S5
=5v,v
VDDQSET
=0v,
I
COMPSNK
13
rentV
VDDQSNS
=2.7v,v
竞赛
=1.28v
µA
compmaximumsourcecur-v
S3
=0v,v
S5
=5v,v
VDDQSET
=0v,
I
COMPSRC
-13
rentV
VDDQSNS
=2.3v,v
竞赛
=1.28v
V
S3
=0v,v
S5
=5v,v
VDDQSET
=0v,
V
COMPHI
comphighclampvoltage1.311.341.37
V
VDDQSNS
=2.3v,v
CS
=0V
V
V
S3
=0v,v
S5
=5v,v
VDDQSET
=0v,
V
COMPLO
complowclampvoltage1.181.211.24
V
VDDQSNS
=2.7v,v
CS
=0V
DUTYCONTROL
T
operatingon-timev
=12v,v
VDDQSET
=0V520
T
ON0
startupon-timev
=12v,v
VDDQSNS
=0V125
ns
T
在(最小值)
minimumon-timet
一个
=25
°
C
(2)
100
T
止(最小值)
minimumoff-timet
一个
=25
°
C
(2)
350
OUTPUTDRIVERS
源,i
DRVH
=-100ma36
R
DRVH
DRVHresistance
下沉,i
DRVH
=100ma0.93
源,i
DRVL
=-100ma36
R
DRVL
DRVLresistance
下沉,i
DRVL
=100ma0.93
ll-lowtodrvl-在
(2)
10
T
D
Deadtimens
drvl-offtodrvh-在
(2)
20
INTERNALBSTDIODE
V
FBST
ForwardvoltageV
v5in-vbst
,i
F
=10ma,t
一个
=25
°
c0.70.80.9v
V
VBST
=34v,v
LL
=28v,v
VDDQ
=2.6v,
I
VBSTLK
vbstleakagecurrent0.11.0µa
T
一个
=25
°
C
(2)ensuredbydesign.notproductiontested.
4
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