IS42S16400B
ISSI
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2
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
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rev. D
02/10/05
一般 描述
这 64mb sdram 是 一个 高 速 cmos, 动态
随机的-进入 记忆 设计 至 运作 在 3.3v
记忆 系统 containing 67,108,864 位. 内部
配置 作 一个 四方形-bank dram 和 一个 同步的
接口. 各自 16,777,216-位 bank 是 有组织的 作 4,096
rows 用 256 columns 用 16 位.
这 64mb sdram 包含 一个 自动 refresh 模式,
和 一个 电源-节省, 电源-向下 模式. 所有 信号 是
注册 在 这 积极的 边缘 的 这 时钟 信号, clk.
所有 输入 和 输出 是 lvttl 兼容.
这 64mb sdram 有 这 能力 至 synchronously burst
数据 在 一个 高 数据 比率 和 自动 column-地址
一代, 这 能力 至 interleave 在 内部的 banks
至 hide precharge 时间 和 这 能力 至 randomly
改变 column 地址 在 各自 时钟 循环 在
burst 进入.
一个 自-安排时间 行 precharge initiated 在 这 终止 的 这 burst
sequence 是 有 和 这 自动 precharge
函数 使能.
Precharge
一个 bank 当 accessing 一个
的 这 其它 三 banks 将 hide 这
precharge
循环 和
提供 seamless, 高-速, 随机的-进入 运作.
SDRAM
读 和 写 accesses 是 burst 朝向 开始
在 一个 选择 location 和 continuing 为 一个 编写程序
号码 的 locations 在 一个 编写程序 sequence. 这
registration 的 一个 起作用的 command begins accesses,
followed 用 一个 读 或者 写 command. 这 起作用的
command 在 conjunction 和 地址 位 注册 是
使用 至 选择 这 bank 和 行 至 是 accessed (ba0, ba1
选择 这 bank; a0-a11 选择 这 行). 这 读 或者
写 commands 在 conjunction 和 地址 位 reg-
istered 是 使用 至 选择 这 开始 column location 为
这 burst 进入.
可编程序的 读 或者 写 burst 长度 组成 的
1, 2, 4 和 8 locations, 或者 全部 页, 和 一个 burst terminate
选项.
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
我们
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
BA0
BA1
A10
COMMAND
解码器
&放大;
时钟
发生器
模式
寄存器
REFRESH
控制
REFRESH
计数器
自
REFRESH
控制
行
地址
获得
多路调制器
COLUMN
地址 获得
burst 计数器
COLUMN
地址 缓存区
column 解码器
数据 在
缓存区
数据 输出
缓存区
DQM
dq 0-15
V
DD
/v
DDQ
地/gndq
11
11
8
11
11
8
16
16 16
16
256K
(x 16)
4096
4096
4096
行 解码器
4096
记忆 cell
排列
bank 0
sense 放大 i/o 门
bank 控制 逻辑
行
地址
缓存区
函数的 块 图解
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