首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:923997
 
资料名称:IS61LV12816-10TI
 
文件大小: 88K
   
说明
 
介绍:
128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
 
 


: 点此下载
  浏览型号IS61LV12816-10TI的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号IS61LV12816-10TI的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号IS61LV12816-10TI的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号IS61LV12816-10TI的Datasheet PDF文件第6页
6

7
浏览型号IS61LV12816-10TI的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号IS61LV12816-10TI的Datasheet PDF文件第9页
9
浏览型号IS61LV12816-10TI的Datasheet PDF文件第10页
10
浏览型号IS61LV12816-10TI的Datasheet PDF文件第11页
11
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IS61LV12816
整体的 硅 解决方案, 公司
1-800-379-4774
7
rev. 一个
11/30/00
ISSI
®
写 循环 切换 特性
(1,3)
(在 运行 范围)
-8 ns -10 ns -12 ns -15 ns
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
WC
写 循环 时间 8
10
12
15
ns
t
SCE
CE
至 写 终止 6.5
8
8
10
ns
t
AW
地址 建制 时间 6.5
8
8
10
ns
至 写 终止
t
HA
地址 支撑 从 写 终止 0
0
0
0
ns
t
SA
地址 建制 时间 0
0
0
0
ns
t
PWB
LB
,
UB
有效的 至 终止 的 写 6.5
8
9
10
ns
t
PWE
1
我们
脉冲波 宽度 (
OE
= 高) 5
7
8
10
ns
t
PWE
2
我们
脉冲波 宽度 (
OE
= 低) 6.5
8
10
11
ns
t
SD
数据 建制 至 写 终止 4
5
6
7
ns
t
HD
数据 支撑 从 写 终止 0
0
0
0
ns
t
HZWE
(3)
我们
低 至 高-z 输出
3
4
5
6ns
t
LZWE
(3)
我们
高 至 低-z 输出 0
0
0
0
ns
注释:
1. 测试 情况 假设 信号 转变 时间 的 3 ns 或者 较少, 定时 涉及 水平 的 1.5v, 输入 脉冲波 水平 的 0v
至 3.0v 和 输出 加载 指定 在 图示 1.
2. 这 内部的 写 时间 是 定义 用 这 overlap 的
CE
低 和
UB
或者
LB
, 和
我们
低. 所有 信号 必须 是 在 有效的
states 至 initiate 一个 写, 但是 任何 一个 能 go inactive 至 terminate 这 写. 这 数据 输入 建制 和 支撑 定时
是 关联 至 这 rising 或者 下落 边缘 的 这 信号 那 terminates 这 写.
3. 测试 和 这 加载 在 图示 2. 转变 是 量过的 ±500 mv 从 稳步的-状态 电压. 不 100% 测试.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com