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资料编号:924017
 
资料名称:IS62C256-45UI
 
文件大小: 38K
   
说明
 
介绍:
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IS62C256
整体的 硅 解决方案, 公司 — 1-800-379-4774
7
sr072-1e
05/12/99
ISSI
®
交流 波形
写 循环 非. 2
(
OE
是 高 在 写 循环)
(1,2)
数据 未阐明的
t
WC
有效的 地址
t
PWE1
t
AW
t
HA
高-z
t
HD
t
SA
t
HZWE
地址
CS
我们
D
输出
D
OE
数据
有效的
t
LZWE
t
SD
cs_wr2.eps
写 循环 非. 3
(
OE
是 低 在 写 循环)
(1)
数据 未阐明的
t
WC
有效的 地址
t
PWE2
t
AW
t
HA
高-z
t
HD
t
SA
t
HZWE
地址
CS
我们
D
输出
D
OE
数据
有效的
t
LZWE
t
SD
cs_wr3.eps
注释:
1. 这 内部的 写 时间 是 定义 用 这 overlap 的
Cs
低 和
我们
低. 所有 信号 必须 是 在 有效的 states 至 initiate 一个 写,
但是 任何 一个 能 go inactive 至 terminate 这 写. 这 数据 输入 建制 和 支撑 定时 是 关联 至 这 rising 或者 下落
边缘 的 这 信号 那 terminates 这 写.
2. i/o 将 假设 这 高-z 状态 如果
OE
= v
IH
.
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