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资料编号:924840
 
资料名称:IRF7495
 
文件大小: 154K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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IRF7495
6 www.irf.com
图 13.
在-阻抗 vs. 门 电压
图 12.
在-阻抗 vs. 流 电流
图 14a&放大;b.
基本 门 承担 测试 电路
和 波形
图 15a&放大;b.
unclamped inductive 测试 电路
和 波形
图 15c.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
t
p
V
(br)dss
I
R
G
I
0.01
t
p
d.u.t
L
V
DS
+
-
V
DD
驱动器
一个
15V
20V
1K
VCC
DUT
0
L

Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
承担
0 10203040506070
I
D
, 流 电流 (一个)
10
15
20
25
R
D
S
(
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)
,
D
r
一个
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-
t
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-
S
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R
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s
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一个
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c
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(
m
)
V
GS
= 10v
25 50 75 100 125 150
开始 t
J
, 接合面 温度 (°c)
0
100
200
300
400
500
E
一个
S
,
S
i
n
g
l
e
P
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l
s
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一个
v
一个
l
一个
n
c
h
e
E
n
e
r
g
y
(
m
J
)
I
D
顶 2.0a
3.5a
BOTTOM 4.4a
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
V
gs,
门 -至 -源 电压 (v)
10
20
30
40
50
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
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O
n
R
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i
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c
e
(
m
)
I
D
= 4.4a
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