绝对 最大 比率
(注释 1, 8)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
lm10/lm10b/ lm10bl/
LM10C LM10CL
总的 供应 电压 45V 7V
差别的 输入 电压 (便条 2)
±
40V
±
7V
电源 消耗 (便条 3) 内部 限制
输出 短的-电路 持续时间 (便条 4) 持续的
存储-温度 范围 −55˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒)
Metal 能 300˚C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) 插件 260˚C
Vapor 阶段 (60 秒) 215˚C
Infrared (15 秒) 220˚C
看 一个-450 “Surface 挂载 方法 和 它们的 效应 在
产品 Reliability” 为 其它 方法 的 焊接 表面
挂载 设备.
静电释放 比率 是 至 是 决定.
最大 接合面 温度
LM10 150˚C
LM10B 100˚C
LM10C 85˚C
运行 比率
包装 热的 阻抗
θ
JA
H 包装 150˚c/w
N 包装 87˚c/w
WM 包装 90˚c/w
θ
JC
H 包装 45˚c/w
电的 特性
T
J
=
25˚c,
T
最小值
≤
T
J
≤
T
最大值
(黑体字 类型 谈及 至 限制 在 温度 范围)
(便条 5)
参数 情况 lm10/lm10b LM10C 单位
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
输入 补偿 电压 0.3 2.0 0.5 4.0 mV
3.0 5.0
mV
输入 补偿 电流 0.25 0.7 0.4 2.0 nA
(便条 6)
1.5 3.0
nA
输入 偏差 电流 10 20 12 30 nA
30 40
nA
输入 阻抗 250 500 150 400 k
Ω
150 115
k
Ω
大 信号 电压 V
S
=
±
20v, I
输出
=
0 120 400 80 400 v/mv
增益 V
输出
=
±
19.95v
80 50
v/mv
V
S
=
±
20v, V
输出
=
±
19.4v 50 130 25 130 v/mv
I
输出
=
±
20 毫安
(
±
15 毫安) 20 15
v/mv
V
S
=
±
0.6v
(0.65v),
I
输出
=
±
2 毫安 1.5 3.0 1.0 3.0 v/mv
V
输出
=
±
0.4v
(
±
0.3v), V
CM
=
−0.4v 0.5 0.75
v/mv
调往 增益 (便条 7) 1.2v
(1.3v)
≤
V
输出
≤
40v, 14 33 10 33 v/mv
R
L
=
1.1 k
Ω
0.1 毫安
≤
I
输出
≤
5mA
66
v/mv
1.5v
≤
V
+
≤
40v, R
L
=
250
Ω
8 25 6 25 v/mv
0.1 毫安
≤
I
输出
≤
20 毫安
44
v/mv
一般模式 −20V
≤
V
CM
≤
19.15v
(19v)
93 102 90 102 dB
拒绝 V
S
=
±
20V
87 87
dB
供应-电压 −0.2v
≥
V
−
≥
−39V 90 96 87 96 dB
拒绝 V
+
=
1.0v
(1.1v) 84 84
dB
1.0v
(1.1v)
≤
V
+
≤
39.8v 96 106 93 106 dB
V
−
=
−0.2v
90 90
dB
补偿 电压 逐渐变化 2.0 5.0 µv/˚c
补偿 电流 逐渐变化 2.0 5.0 pa/˚c
偏差 电流 逐渐变化 T
C
<
100˚C 60 90 pa/˚c
线条 规章制度 1.2v
(1.3v)
≤
V
S
≤
40V 0.001 0.003 0.001 0.008
%
/v
0
≤
I
REF
≤
1.0 毫安, V
REF
=
200 mV
0.006 0.01
%
/v
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