k4s563233f - f(h)e/n/g/c/l/f
将 2004
5
mobile-sdram
直流 特性
推荐 运行 情况 (电压 关联 至 v
SS
= 0v, t
一个
= -25 至 85
°
c 为 扩展, -25 至 70
°
c 为 商业的)
注释:
1. 量过的 和 输出 打开.
2. refresh 时期 是 64ms.
3. 内部的 tcsr 能 是 supported.
在 商业的 温度 : 最大值 40
°
c/最大值 70
°
c, 在 扩展 温度 : 最大值 40
°
c/最大值 85
°
C
4. k4s563233f-f(h)e/c**
5. k4s563233f-f(h)n/l**
6. k4s563233f-f(h)g/f**
7. 除非 否则 指出, 输入 摆动 ievei 是 cmos(vih /vil=vddq/vssq).
参数 标识 测试 情况
版本
单位 便条
-60 -75 -1h -1l
运行 电流
(一个 bank 起作用的)
I
CC1
burst 长度 = 1
t
RC
≥
t
RC
(最小值)
I
O
= 0 毫安
110 100
100 90 毫安 1
precharge 备用物品 电流
在 电源-向下 模式
I
CC
2P CKE
≤
V
IL
(最大值), t
CC
= 10ns 0.5
毫安
I
CC
2PS cke &放大; clk
≤
V
IL
(最大值), t
CC
=
∞
0.5
precharge 备用物品 电流
在 非 电源-向下 模式
I
CC
2N
CKE
≥
V
IH
(最小值), cs
≥
V
IH
(最小值), t
CC
= 10ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在
20ns
20
毫安
I
CC
2NS
CKE
≥
V
IH
(最小值), clk
≤
V
IL
(最大值), t
CC
=
∞
输入 信号 是 稳固的
8
起作用的 备用物品 电流
在 电源-向下 模式
I
CC
3P CKE
≤
V
IL
(最大值), t
CC
= 10ns 4
毫安
I
CC
3PS cke &放大; clk
≤
V
IL
(最大值), t
CC
=
∞
2
起作用的 备用物品 电流
在 非 电源-向下 模式
(一个 bank 起作用的)
I
CC
3N
CKE
≥
V
IH
(最小值), cs
≥
V
IH
(最小值), t
CC
= 10ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在
20ns
30 毫安
I
CC
3NS
CKE
≥
V
IH
(最小值), clk
≤
V
IL
(最大值), t
CC
=
∞
输入 信号 是 稳固的
20 毫安
运行 电流
(burst 模式)
I
CC
4
I
O
= 0 毫安
页 burst
4banks 使活动
t
CCD
= 2clks
120 100 90 90 毫安 1
refresh 电流 I
CC
5 t
RC
≥
t
RC
(最小值) 200 180 170 150 毫安 2
自 refresh 电流 I
CC
6 CKE
≤
0.2v
-e/c
1500
uA
4
-n/l
600 5
-g/f
内部的 tcsr 最大值 40 最大值 85/70
°
C
3
全部 排列 450 600
uA 6
1/2 的 全部 400 450
1/4 的 全部 350 400
: 点此下载
