km416c1000c, km416c1200c
cmos dramkm416v1000c, km416v1200c
交流 特性
(持续)
参数 标识
-5 -6
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值
数据 设置-向上 时间
tDS
0 0 ns 9,17
数据 支撑 时间
tDH
10 10 ns 9,17
refresh 时期 (1k, 正常的)
tREF
16 16 ms
refresh 时期 (4k, 正常的)
tREF
64 64 ms
refresh 时期 (l-ver)
tREF
128 128 ms
写 command 设置-向上 时间
tWCS
0 0 ns 7
CAS至W延迟 时间
tCWD
36 40 ns 7,13
RAS至W延迟 时间
tRWD
73 85 ns 7
column 地址 至W延迟 时间
tAWD
48 55 ns 7
CASprecharge 至W延迟 时间
tCPWD
53 60 ns 7
CAS设置-向上 时间 (CAS-在之前-RASrefresh)
tCSR
5 5 ns 15
CAS支撑 时间 (CAS-在之前-RASrefresh)
tCHR
10 10 ns 16
RAS至CASprecharge 时间
tRPC
5 5 ns
进入 时间 从CASprecharge
tCPA
30 35 ns 3
快 页 模式 循环 时间
tPC
35 40 ns
快 页 读-modify-写 循环 时间
tPRWC
76 80 ns
CASprecharge 时间 (快 页 循环)
tCP
10 10 ns 12
RAS脉冲波 宽度 (快 页 循环)
tRASP
50 200K 60 200K ns
RAS支撑 时间 从CASprecharge
tRHCP
30 35 ns
OE进入 时间
tOEA
13 15 ns 3
OE至 数据 延迟
tOED
13 15 ns
输出 缓存区 转变 止 延迟 时间 从OE
tOEZ
0 13 0 15 ns
OEcommand 支撑 时间
tOEH
13 15 ns
RAS脉冲波 宽度 (C-b-R自 refresh)
tRASS
100 100 美国 18,19,20
RASprecharge 时间 (C-b-R自 refresh)
tRPS
90 110 ns 18,19,20
CAS支撑 时间 (C-b-R自 refresh)
tCHS
-50 -50 ns 18,19,20