km416c1000c, km416c1200c
cmos dramkm416v1000c, km416v1200c
tCWD是 关联 至 这 后来的CAS下落 边缘 在 文字 读-modify-写 循环.
tCWL是 指定 从W下落 边缘 至 这 早期CASrising 边缘.
tCSR是 关联 至 这 早期CAS下落 边缘 在之前RAS转变 低.
tCHR是 关联 至 这 后来的CASrising 边缘 之后RAS转变 低.
tCSR tCHR
RAS
LCAS
UCAS
16.
15.
14.
13.
tds,tDH是 independently 指定 为 更小的 字节 dq(0-7), upper 字节 dq(8-15)
如果tRASS
≥
100us, 然后RASprecharge 时间 必须 使用tRPSinstead 的tRP.
为RAS-仅有的 refresh 和 burstCAS-在之前-RASrefresh 模式, 4096(4k)/1024(1k) 循环 的 burst refresh 必须 是 executed
在里面 64ms/16ms 在之前 和 之后 自 refresh, 在 顺序 至 满足 refresh 规格.
为 distributedCAS-在之前-RAS和 15.6us 间隔CAS-在之前-RASrefresh 应当 是 executed 和 在 15.6us 立即
在之前 和 之后 自 refresh 在 顺序 至 满足 refresh 规格.
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20.
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