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LTC1155
U
S
一个
O
PP
L
IC
在
I
WU
U
I 为 ATIO
为 这个 例子, 我们 假设 一个 worst-情况 scenario; i.e.,
那 这 电源 供应 至 这 电源 场效应晶体管 是 “hard” 和
提供 一个 常量 5v regardless 的 这 电流. 在 这个
情况, 这 电流 是 限制 用 这 r
ds(在)
的 这 场效应晶体管
和 这 流 sense 阻抗. 因此:
I
顶峰
= v
供应
/0.08
Ω
= 62.5a
这 漏出 横过 这 流 sense 电阻 下面 这些
情况 是 更 大 比 100mv 和 是 equal 至 这
流 电流 时间 这 sense 阻抗:
V
漏出
= (i
顶峰
)(r
SEN
)
= 1.88v
用 consulting 这 电源 场效应晶体管 数据 薄板 soa 图表,
我们 便条 那 这 irlz34 是 有能力 的 传送 62.5a 在
一个 流-至-源 电压 的 3.12v 为 大概
10ms.
一个 rc 时间 常量 能 now 是 计算 这个 satisfies
这个 必要条件:
graphical approach 至 selecting r
DLY
和 c
DLY
图示 2 是 一个 图表 的 normalized overcurrent 关闭
时间 相比 normalized 场效应晶体管 电流. 这个 图表 能
是 使用 instead 的 这 在之上 等式 至 计算 这 rc
时间 常量. 这 y axis 的 这 图表 是 normalized 至 一个
rc 时间 常量. 这 x axis 是 normalized 至 这 设置
电流. (这 设置 电流 是 定义 作 这 电流 必需的
至 开发 100mv 横过 这 流 sense 电阻).
这个 时间 常量 应当 是 viewed 作 一个 最大 safe
延迟 时间 和 应当 是 减少 如果 这 competing
必要条件 的 开始 一个 高 inrush 电流 加载 是 较少
stringent; i.e., 如果 这 inrush 时间 时期 是 计算 在
20ms, 这 rc 时间 常量 应当 是 设置 在 roughly 二
或者 三 时间 这个 时间 时期 和 不 在 这 最大 的
182ms. 一个 60ms 时间 常量 将 是 生产 和 一个
270k 电阻 和 一个 0.22
µ
f 电容 (作 显示 在
图示 1).
RC
t
在
V
RI
RC
在
ms
SEN
SEN 最大值
=
−
•
=
−
•
=
=
–
–.
.
..
–. /–.
1
001
1
010
0 030 62 5
0 01 0 054
182
便条 那 这 关闭 时间 是 shorter 为 增加
水平 的 场效应晶体管 电流. 这个 确保 那 这 总的
活力 dissipated 用 这 场效应晶体管 是 总是 在里面 这
bounds established 用 这 场效应晶体管 生产者 为 safe
运作.
在 这 例子 提交 在之上, 我们 established 那 这
电源 场效应晶体管 应当 不 是 允许 至 通过 62.5a 为
更多 比 10ms. 62.5a 是 roughly 18 时间 这 设置 电流
的 3.3a. 用 绘画 一个 线条 向上 从 18 和 reflecting 它 止
这 曲线, 我们 establish 那 这 rc 时间 常量 应当
是 设置 在 10ms 分隔 用 0.054, 或者 180ms. 两个都 方法
结果 在 这 一样 conclusion.
使用 一个 速 向上 二极管
一个 方法 至 更远 减少 这 数量 的 时间 那 这 电源
场效应晶体管 是 在 一个 短的-电路 情况 是 至 “bypass”the
延迟 电阻 和 一个 小 信号 二极管 作 显示 在 图示
3. 这 二极管 将 engage 当 这 漏出 横过 这 流
sense 电阻 超过 0.7v, 供应 一个 直接 path 至 这
场效应晶体管 电流 (1 = 设置 电流)
1
0.01
overcurrent 关闭 时间 (1= rc)
0.1
1
10
5 10 20 100
1155 f02
250
图示 2. 关闭 时间 vs 场效应晶体管 电流
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