mc34152, mc33152, ncv33152
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这 npn pullup 在 这 负的 输出 瞬时, 电源
消耗在 高 发生率 能 变为 过度的.
计算数量 20, 21, 和 22 显示 一个 方法 的 使用 外部
肖特基 二极管 clamps 至 减少 驱动器 电源 消耗.
欠压 lockout
一个 欠压 lockout 和 hysteresis 阻止 erratic
系统 运作 在 低 供应 电压. 这 uvlo forces
这 驱动 输出 在 一个 低 状态 作 v
CC
rises 从 1.4 v
至 这 5.8 v upper 门槛. 这 更小的 uvlo 门槛
是 5.3 v, yielding 关于 500 mv 的 hysteresis.
电源 消耗
电路效能 和 长 期 可靠性 是
增强和 减少 消逝 温度. 消逝 温度
增加是 直接地 related 至 这 电源 那 这 整体的
电路 必须 dissipate 和 这 总的 热的 阻抗 从
这 接合面 至 包围的. 这 formula 为 calculating 这
接合面温度 和 这 包装 在 自由 空气 是:
T
一个
+ p
D
(r
JA
)
在哪里:
T
J
=
接合面 温度
包围的 温度
电源 消耗
热的 阻抗 接合面 至 包围的
T
J
=
T
一个
=
P
D
=
R
JA
=
那里 是 三 基本 组件 那 制造 向上 总的
电源 至 是 dissipated 当 驱动 一个 电容的 加载 和
遵守 至 地面. 它们 是:
P
Q
+ p
C
+
P
T
在哪里:
P
D
=
P
Q
=
P
C
=
P
T
=
安静的 电源 消耗
电容的 加载 电源 消耗
转变 电源 消耗
这 安静的 电源 供应 电流 取决于 在 这
供应 电压 和 职责 循环 作 显示 在 图示 17. 这
设备的 安静的 电源 消耗 是:
在哪里:
P
Q
=
I
CCL
=
I
CCH
=
D=
供应 电流 和 低 状态 驱动
输出
V
CC
(i
CCL
[1−d] + i
CCH
[d])
供应 电流 和 高 状态 驱动
输出
输出 职责 循环
这 电容的 加载 电源 消耗 是 直接地 related
至 这 加载 电容 值, 频率, 和 驱动 输出
电压摆动. 这 电容的 加载 电源 消耗 每
驱动器 是:
V
CC
(v
OH
− v
OL
) c
L
f
在哪里:
P
C
=
V
OH
=
V
OL
=
C
L
=
f=
高 状态 驱动 输出 电压
低 状态 驱动 输出 电压
加载 电容
频率
当 驱动 一个 场效应晶体管, 这 计算 的 电容的
加载 电源 p
C
是 somewhat complicated 用 这 changing
门 至 源 电容 c
GS
作 这 设备 switches. 至
aid 在 这个 计算, 电源 场效应晶体管 manufacturers
提供 门 承担 信息 在 它们的 数据 薄板.
图示 18 显示 一个 曲线 的 门 电压 相比 门 承担
为 这 在 半导体 mtm15n50. 便条 那 那里 是
三 distinct slopes 至 这 曲线 representing 不同的
输入 电容 值. 至 完全地 转变 这
场效应晶体管 ‘on,’ 这 门 必须 是 brought 至 10 v 和
遵守 至 这 源. 这 图表 显示 那 一个 门 承担
Q
g
的 110 nc 是 必需的 当 运行 这 场效应晶体管 和
一个 流 至 源 电压 v
DS
的 400 v.
图示 18. gate−to−source 电压
相比 门 承担
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
16
12
8.0
4.0
0
0 40 80 120 160
Q
g
, 门 承担 (nc)
2.0nf
MTM15B50
I
D
= 15 一个
T
一个
= 25
°
C
V
DS
=100V V
DS
=400V
C
GS
=
Q
g
V
GS
8.9nf
这 电容的 加载 电源 消耗 是 直接地 related 至
这 必需的 门 承担, 和 运行 频率. 这
电容的加载 电源 消耗 每 驱动器 是:
P
c(场效应晶体管)
= v
CC
Q
g
f
这 flat 区域 从 10 nc 至 55 nc 是 造成 用 这
drain−to−gate miller 电容, occurring 当 这
场效应晶体管 是 在 这 直线的 区域 dissipating substantial
amounts 的电源. 这 高 输出 电流 能力 的 这
mc34152 是 能 至 quickly deliver 这 必需的 门
承担 为 快 电源 效率高的 场效应晶体管 切换. 用
运行这 mc34152 在 一个 高等级的 v
CC
, 额外的 承担
能 是 提供 至 bring 这 门 在之上 10 v. 这个 将
减少 这 ‘on’ 阻抗 的 这 场效应晶体管 在 这 费用
的 高等级的 驱动器 消耗 在 一个 给 运行 频率.
这 转变 电源 消耗 是 预定的 至 极其
短的 同时发生的 传导 的 内部的 电路 nodes
当 这 驱动 输出 改变 状态. 这 转变 电源
消耗每 驱动器 是 大概:
P
T
≈
V
CC
(1.08 v
CC
C
L
f − 8 x 10
−4
)
P
T
必须 是 更好 比 零.
切换 时间 描绘 的 这 mc34152 是
执行和 fixed 电容的 负载. 图示 14 显示
那 为 小 电容 负载, 这 切换 速 是
限制用 晶体管 turn−on/止 时间 和 这 回转 比率 的
这 内部的 nodes. 为 大 电容 负载, 这
切换 速 是 限制 用 这 最大 输出 电流
能力的 这 整体的 电路.
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