MC74HC245ANG_集成电路资料查询网

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

MC74HC245A http://onsemi.com 4 直流电的特性 (电压关联至地) ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 有保证的限制 ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 标识 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 参数 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 测试情况 ÎÎÎ ÎÎÎ V CC V ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ –55 至 25  C ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ  85  C ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ  125  C ÎÎ ÎÎ 单位 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ V IH ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 最小 high−level 输入电压 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ V 输出 = v CC – 0.1 v \|I 输出 \|  20  一个 ÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 2.0 3.0 4.5 6.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 1.5 2.1 3.15 4.2 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 1.5 2.1 3.15 4.2 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 1.5 2.1 3.15 4.2 ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ V ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ V IL ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 最大 low−level 输入电压 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ V 输出 = 0.1 v \|I 输出 \|  20  一个 ÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 2.0 3.0 4.5 6.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 0.5 0.9 1.35 1.8 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 0.5 0.9 1.35 1.8 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 0.5 0.9 1.35 1.8 ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ V ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ V OH ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 最小 high−level 输出电压 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ V 在 = v IH \|I 输出 \|  20  一个 ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 2.0 4.5 6.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 1.9 4.4 5.9 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 1.9 4.4 5.9 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 1.9 4.4 5.9 ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ V ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ V 在 = v IH \|I 输出 \|  2.4 毫安 \|I 输出 \|  6.0 毫安 \|I 输出 \|  7.8 毫安 ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 3.0 4.5 6.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 2.48 3.98 5.48 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 2.34 3.84 5.34 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 2.2 3.7 5.2 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ V OL ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 最大 low−level 输出电压 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ V 在 = v IL \|I 输出 \|  20  一个 ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 2.0 4.5 6.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 0.1 0.1 0.1 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 0.1 0.1 0.1 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 0.1 0.1 0.1 ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ V ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ V 在 = v IL \|I 输出 \|  2.4 毫安 \|I 输出 \|  6.0 毫安 \|I 输出 \|  7.8 毫安 ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 3.0 4.5 6.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 0.26 0.26 0.26 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 0.33 0.33 0.33 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 0.4 0.4 0.4 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ I 在 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 最大输入泄漏电流 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ V 在 = v CC 或者地 ÎÎÎ ÎÎÎ 6.0 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ± 0.1 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ± 1.0 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ± 1.0 ÎÎ ÎÎ  一个 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ I OZ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 最大 three−state 泄漏电流 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 输出在 high−impedance 状态 V 在 = v IL 或者 v IH V 输出 = v CC 或者地 ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 6.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ ± 0.5 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ ± 5.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ ± 10 ÎÎ ÎÎ ÎÎ  一个 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ I CC ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 最大安静的供应电流 (每包装) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ V 在 = v CC 或者地 I 输出 = 0  一个 ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 6.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 4.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 40 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 160 ÎÎ ÎÎ ÎÎ  一个 7. 信息在典型参数值和高频率或者重的加载仔细考虑能是建立在这在 semiconductor high−speed cmos 数据书 (dl129/d). 交流电的特性 (c L = 50 pf, 输入 t r = t f = 6 ns) ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 标识 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 参数 ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ V CC V ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 有保证的限制 ÎÎ ÎÎ ÎÎ 单位 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ –55 至 25  C ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ  85  C ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ  125  C ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ t PLH , t PHL ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 最大传播延迟, 一个至 b, b 至一个 (计算数量 1 和 3) ÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 2.0 3.0 4.5 6.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 75 55 15 13 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 95 70 19 16 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 110 80 22 19 ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ns ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ t PLZ , t PHZ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 最大传播延迟, 方向或者输出使能至一个或者 b (计算数量 2 和 4) ÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 2.0 3.0 4.5 6.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 110 90 22 19 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 140 110 28 24 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 165 130 33 28 ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ns ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ t PZL , t PZH ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 最大传播延迟, 输出使能至一个或者 b (计算数量 2 和 4) ÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 2.0 3.0 4.5 6.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 110 90 22 19 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 140 110 28 24 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 165 130 33 28 ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ns ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ t TLH , t THL ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 最大输出转变时间, 任何输出 (计算数量 1 和 3) ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ 2.0 3.0 4.5 6.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 60 23 12 10 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 75 27 15 13 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 90 32 18 15 ÎÎ ÎÎ ÎÎ ns ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ C 在 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 最大输入电容 (管脚 1 或者管脚 19) ÎÎÎ ÎÎÎ − ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 10 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 10 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 10 ÎÎ ÎÎ pF ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ C 输出 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 最大 three−state i/o 电容 (i/o 在 high−impedance 状态) ÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎ − ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 15 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 15 ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ 15 ÎÎ ÎÎ ÎÎ pF 8. 为传播延迟和负载其它比 50 pf, 和信息在典型参数值, 看这在 semiconductor high−speed cmos 数据书 (dl129/d). C PD 电源消耗电容 (每 transceiver 频道) (便条 9) 典型 @ 25 ° c, v CC = 5.0 v pF 40 9. 使用至决定这 no−load 动态电源消耗量:P D = c PD V CC 2 f + i CC V CC . 为加载仔细考虑, 看这在半导体 high−speed cmos 数据书 (dl129/d).

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com