7.2 4
idt71256 s/l
cmos 静态的 内存 256k (32k x 8-位) 军队 和 商业的 温度 范围
交流 测试 情况
输入 脉冲波 水平 地 至 3.0v
输入 上升/下降 时间 5ns
输入 定时 涉及 水平 1.5v
输出 涉及 水平 1.5v
交流 测试 加载 看 计算数量 1 和 2
2946 tbl 08
图示 1. 交流 测试 加载
图示 2. 交流 测试 加载
(为 t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW
, t
WHZ
)
*includes scope 和 jig capacitances
数据 保持 特性 在 所有 温度 范围
(l 版本 仅有的) v
LC
= 0.2v, v
HC
= v
CC
– 0.2v
典型值
(1)
最大值
V
CC
@V
CC
@
标识 参数 测试 情况 最小值 2.0v 3.0v 2.0v 3.0v 单位
V
DR
V
CC
为 数据 保持 — 2.0 — — — — V
I
CCDR
数据 保持 电流 mil. — — — 500 800
µ
一个
com’l. — — — 120 200
t
CDR
碎片 deselect 至 数据
CS
≥
V
HC
0————ns
保持 时间
t
R
(3)
运作 恢复 时间 t
RC
(2)
————ns
注释:
2946 tbl 10
1. T
一个
= +25
°
c.
2. t
RC
= 读 循环 时间.
3. 这个 参数 是 有保证的, 但是 不 测试.
直流 电的 特性
V
CC
= 5.0v
±
10%
IDT71256S IDT71256L
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位
|I
LI
| 输入 泄漏 电流 V
CC
= 最大值., mil. — — 10 — — 5
µ
一个
V
在
= 地 至 v
CC
com’l. — — 5 — — 2
|I
LO
| 输出 泄漏 电流 V
CC
= 最大值.,
CS
= v
ih,
mil. — — 10 — — 5
µ
一个
V
输出
= 地 至 v
CC
com’l. — — 5 — — 2
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 8ma, v
CC
= 最小值 — 0.4 — — 0.4 V
I
OL
= 10ma, v
CC
= 最小值 — — 0.5 — — 0.5
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= –4ma, v
CC
= 最小值 2.4 — — 2.4 — — V
2946 tbl 09
2946 drw 05
480
Ω
5pF*
255
Ω
数据
输出
5V
2946 drw 04
480
Ω
30pF*
255
Ω
数据
输出
5V
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