idt7026s/l
高-速 16k x 16 双-端口 静态的 内存 军队 和 商业的 温度 范围
6.17 5
直流 电的 特性 在 这
运行 温度 和 供应 电压 范围
(v
CC
= 5.0v
±
10%)
IDT7026S IDT7026L
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
|I
LI
| 输入 泄漏 电流
(1)
V
CC
= 5.5v, v
在
= 0v 至 v
CC
—10—5
µ
一个
|I
LO
| 输出 泄漏 电流
CE
= v
IH
, v
输出
= 0v 至 v
CC
—10—5
µ
一个
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 4ma — 0.4 — 0.4 V
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= –4ma 2.4 — 2.4 — V
便条:
2939 tbl 08
直流 电的 特性 在 这
运行 温度 和 供应 电压 范围
(1)
(v
CC
= 5.0v
±
10%)
7026X20 7026X25
测试 com'l. 仅有的
标识 参数 情况 版本 典型值
(2)
最大值 典型值
(2)
最大值 单位
I
CC
动态 运行
CE
= v
IL
, 输出 打开 mil. S — — 170 345 毫安
电流
SEM
= v
IH
L — — 170 305
(两个都 端口 起作用的) f = f
最大值
(3)
com’l. S 180 315 170 305
L 180 275 170 265
I
SB1
备用物品 电流
CE
R
=
CE
L
= v
IH
mil. S — — 25 100 毫安
(两个都 端口 — ttl
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
L——2580
水平的 输入) f = f
最大值
(3)
com’l. S 30 85 25 85
L 30602560
I
SB2
备用物品 电流
CE
"一个"
= v
IL
和
CE
"b"
= v
IH
(5)
mil. S — — 105 230 毫安
(一个 端口 — ttl 起作用的 端口 输出 打开, L — — 105 200
水平的 输入) f = f
最大值
(3)
com’l. S 115 210 105 200
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
L 115 180 105 170
I
SB3
全部 备用物品 电流 两个都 端口
CE
L
和 mil. S — — 1.0 30 毫安
(两个都 端口 — 所有
CE
R
> v
CC
- 0.2v L — — 0.2 10
cmos 水平的 输入) V
在
> v
CC
- 0.2v 或者 com’l. S 1.0 15 1.0 15
V
在
< 0.2v, f = 0
(4)
L 0.2 5 0.2 5
SEM
R
=
SEM
L
> v
CC
- 0.2v
I
SB4
全部 备用物品 电流
CE
"一个"
< 0.2v 和 mil. S — — 100 200 毫安
(一个 端口 — 所有
CE
"b"
> v
CC
- 0.2v
(5)
L — — 100 175
cmos 水平的 输入)
SEM
R
=
SEM
L
> v
CC
- 0.2v
V
在
> v
CC
- 0.2v 或者 com’l. S 110 185 100 170
V
在
< 0.2v L 110 160 100 145
起作用的 端口 输出 打开,
f = f
最大值
(3)
注释:
2939 tbl 09
1. "x" 在 部分 号码 indicates 电源 比率 (s 或者 l).
2. V
CC
= 5v, t
一个
= +25
°
c, 和 是 不 生产 测试. i
CCDC
= 120ma (典型值.)
3. 在 f = f
最大值
,
地址 和 控制 线条 (除了 输出 使能) 是 cycling 在 这 最大 频率 读 循环 的 1 / t
rc,
和 使用 “ac 测试 conditions”
的 输入 水平 的 地 至 3v.
4. f = 0 意思 非 地址 或者 控制 线条 改变.
5. 端口 "一个" 将 是 也 left 或者 正确的 端口. 端口 "b" 是 这 opposite 从 端口 "a".
1. 在 vcc = 2.0v, 输入 leakages 是 未阐明的.
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