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idt70v06s/l
高-速 16k x 8 双-端口 静态的 内存 工业的 和 商业的 温度 范围
注释:
1. 转变 是 量过的 0mv 从 低 或者 高-阻抗 电压 和 这 输出 测试 加载 (图示 2).
2. 这个 参数 是 有保证的 但是 不 测试.
3. 至 进入 sram,
CE
= v
IL
,
SEM
= v
IH
. 至 进入 semaphore,
CE
= v
IH
和
SEM
= v
IL
. 也 情况 必须 是 有效的 为 这 全部 t
EW
时间.
4. 这 规格 为 t
DH
必须 是 符合 用 这 设备 供应 写 数据 至 这 内存 下面 所有 运行 情况. 虽然 t
DH
和 t
OW
值 将 相异 在 电压 和
温度, 这 真实的 t
DH
将 总是 是 小 比 这 真实的 t
OW
.
5. 'x' 在 部分 号码 indicates 电源 比率 (s 或者 l).
标识 参数
70V06X15
com'l 仅有的
70V06X20
com'l
&放大; ind
70V06X25
com'l
&放大; ind
单位最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
WRITe 循环
t
WC
写 循环 时间 15
____
20
____
25
____
ns
t
EW
碎片 使能 至 终止-的-写
(3)
12
____
15
____
20
____
ns
t
AW
地址 有效的 至 终止-的-写 12
____
15
____
20
____
ns
t
作
地址 设置-向上 时间
(3)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 12
____
15
____
20
____
ns
t
WR
写 恢复 时间 0
____
0
____
0
____
ns
t
DW
数据 有效的至终止-of-写 10
____
15
____
15
____
ns
t
HZ
Output 高-z 时间
(1,2)
____
10
____
12
____
15 ns
t
DH
数据 hold时间
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WZ
写Enable至Output 在 high-z
(1,2)
____
10
____
12
____
15 ns
t
OW
Output 交流tivefrom end-of-写
(1, 2,4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
SWRD
标记 写至Read时间
5
____
5
____
5
____
ns
t
SPS
标记 contention window
5
____
5
____
5
____
ns
2942 tb l12a
标识 参数
70V06X35
com'l
&放大; ind
70V06X55
com'l
&放大; ind
单位最小值 最大值 最小值 最大值
WRITe 循环
t
WC
写 循环 时间 35
____
55
____
ns
t
EW
碎片 使能 至 终止-的-写
(3)
30
____
45
____
ns
t
AW
地址 有效的 至 终止-的-写 30
____
45
____
ns
t
作
地址 设置-向上 时间
(3)
0
____
0
____
ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 25
____
40
____
ns
t
WR
写 恢复 时间 0
____
0
____
ns
t
DW
数据 有效的至终止-of-写 15
____
30
____
ns
t
HZ
Output 高-z 时间
(1,2)
____
15
____
25 ns
t
DH
数据 hold时间
(4)
0
____
0
____
ns
t
WZ
写Enable至Output 在 high-z
(1,2)
____
15
____
25 ns
t
OW
Output 交流tivefrom end-of-写
(1, 2,4)
0
____
0
____
ns
t
SWRD
标记 写至Read时间
5
____
5
____
ns
t
SPS
标记 contention window
5
____
5
____
ns
2942 tb l 12b
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