6.07 2
idt7006s/l
高-速 16k x 8 双-端口 静态的 内存 军队 和 商业的 温度 范围
记忆 系统 产品 结果 在 全部-速, 错误-自由
运作 没有 这 需要 为 额外的 分离的 逻辑.
这个 设备 提供 二 独立 端口 和 独立的
控制, 地址, 和 i/o 管脚 那 准许 独立,
异步的 进入 为 读 或者 写 至 任何 location 在
记忆. 一个 自动 电源 向下 特性 控制 用
CE
准许 这 在-碎片 电路系统 的 各自 端口 至 enter 一个 非常 低
备用物品 电源 模式.
fabricated 使用 idt’s cmos 高-效能 technol-
ogy, 这些 设备 典型地 运作 在 仅有的 750mw 的 电源.
低-电源 (l) 版本 提供 电池 backup 数据 保持
能力 和 典型 电源 消耗量 的 500
µ
w 从 一个 2v
电池.
这 idt7006 是 packaged 在 一个 陶瓷的 68-管脚 pga, 一个 68-
管脚 四方形 flatpack, 一个 68-管脚 plcc, 和 一个 64-管脚 tqfp (thin
塑料 四方形 flatpack) . 军队 等级 产品 是 制造的
在 遵从 和 这 最新的 修订 的 mil-标准-883, 类
b, 制造 它 ideally suited 至 军队 温度 产品
要求 这 最高的 水平的 的 效能 和 可靠性.
管脚 配置
(1,2)
INDEX
IDT7006
pn-64
TQFP
顶 视图
(3)
8
9
10
11
12
13
14
15
16
1
2
3
4
5
6
7
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
47
48
33
17
18
19
20
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
49
50
51
52
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
64
i/o
2L
V
CC
地
地
一个
4R
BUSY
L
BUSY
R
INT
R
INT
L
地
m/
S
OE
L
一个
5L
i/o
1L
r/
W
L
CE
L
SEM
L
V
CC
OE
R
CE
R
r/
W
R
SEM
R
一个
12R
地
i/o
3L
i/o
4L
i/o
5L
i/o
6L
i/o
7L
i/o
0R
i/o
1R
i/o
2R
V
CC
i/o
3R
i/o
4R
i/o
5R
i/o
6R
i/o
7R
一个
11R
一个
10R
一个
9R
一个
8R
一个
7R
一个
6R
一个
5R
一个
3R
一个
2R
一个
1R
一个
0R
一个
0L
一个
1L
一个
2L
一个
3L
一个
4L
一个
6L
一个
7L
一个
8L
一个
9L
一个
10L
一个
11L
一个
12L
i/o
0L
2739 drw 03
一个
13R
一个
13L
2739 drw 02
12
13
14
15
16
17
18
INDEX
19
20
21
22
987 6543 2168676665
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39
V
CC
V
CC
i/o
1R
i/o
2R
i/o
3R
i/o
4R
INT
L
地
一个
4L
一个
3L
一个
2L
一个
1L
一个
0L
一个
3R
一个
0R
一个
1R
一个
2R
i/o
2L
一个
5L
r/
W
L
11
10
m/
S
23
24
25
26
40 41 42 43
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
59
60
47
46
45
44
64 63 62 61
i/o
3L
地
i/o
0R
V
CC
一个
4R
BUSY
L
地
BUSY
R
INT
R
一个
12R
i/o
7R
n/c
地
OE
R
r/
W
R
SEM
R
CE
R
OE
L
SEM
L
CE
L
n/c
i/o
0L
i/o
1L
IDT7006
j68-1
f68-1
plcc / flatpack
顶 视图
(3)
i/o
4L
i/o
5L
i/o
6L
i/o
7L
i/o
5R
i/o
6R
n/c
一个
12L
n/c
一个
11R
一个
10R
一个
9R
一个
8R
一个
7R
一个
6R
一个
5R
一个
11L
一个
10L
一个
9L
一个
8L
一个
7L
一个
6L
一个
13R
一个
13L
注释:
1. 所有 vcc 管脚 必须 是 连接 至 这 电源 供应.
2. 所有 地 管脚 必须 是 连接 至 这 地面 供应.
3. 这个 text 做 不 表明 方向 的 这 这 真实的 部分-标记.
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