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资料编号:93542
 
资料名称:IDT71V256SA15Y
 
文件大小: 67.97K
   
说明
 
介绍:
LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4
IDT71V256SA
3.3v cmos 静态的 内存 256k (32k x 8-位) 工业的 和 商业的 温度 范围
交流 电的 特性
(v
CC
= 3.3v
±
0.3v)
71V256SA10
(2)
71V256SA12
(2)
71V256SA15 71V256SA20
(2)
标识 参数 最大值 最小值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
读 循环
t
RC
读 循环 时间 10 12 15 20 ns
t
AA
地址 进入 时间 10 12 15 20 ns
t
ACS
碎片 选择 进入 时间 10 12 15 20 ns
t
CLZ
(1)
碎片 选择 至 输出 在 低-z 5 5 5 5 ns
t
CHZ
(1)
碎片 选择 至 输出 在 高-z 0 8 0 8 0 9 0 10 ns
t
OE
输出 使能 至 输出 有效的 6 6 7 8 ns
t
OLZ
(1)
输出 使能 至 输出 在 低-z 3 3 0 0 ns
t
OHZ
(1)
输出 使不能运转 至 输出 在 高-z 2 6 2 6 0 7 0 8 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 3 3 3 3 ns
写 循环
t
WC
写 循环 时间 10 12 15 20 ns
t
AW
地址 有效的 至 终止-的-写 9 9 10 15 ns
t
CW
碎片 选择 至 终止-的-写 9 9 10 15 ns
t
地址 设置-向上 时间 0 0 0 0 ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 9 9 10 15 ns
t
WR
写 恢复 时间 0 0 0 0 ns
t
DW
数据 至 写 时间 overlap 6 6 7 8 ns
t
DH
数据 支撑 从 写 时间 0 0 0 0 ns
t
OW
(1)
输出 起作用的 从 终止-的-写 4 4 4 4 ns
t
WHZ
(1)
写 使能 至 输出 在 高-z 1 8 1 8 1 9 1 10 ns
便条:
3101 tbl 10
1. 这个 参数 有保证的 和 这 交流 测试 加载 (图示 2) 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
2. 商业的 温度 范围 仅有的.
定时 波形 的 读 循环 非. 1
(1)
注释:
1.
我们
是 高 为 读 循环.
2. 转变 是 量过的
±
200mv 从 稳步的 状态.
地址
CS
数据
输出
OE
3101 drw 06
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
(2)
t
OE
t
OLZ
(2)
(2)
t
OHZ
(2)
数据 有效的
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