5.1 8
idt6116sa/la
cmos 静态的 内存 16k (2k x 8-位) 军队 和 商业的 温度 范围
6116SA15
(1)
6116SA20 6116SA25 6116SA35
6116LA15
(1)
6116LA20 6116LA25 6116LA35
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
写 循环
t
WC
写 循环 时间 15 — 20 — 25 — 35 — ns
t
CW
碎片 选择 至 终止-的- 13 — 15 — 17 — 25 — ns
写
t
AW
地址 有效的 至 终止- 14 — 15 — 17 — 25 — ns
的-写
t
作
地址 设置-向上 时间 0 — 0 — 0 — 0 — ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 12 — 12 — 15 — 20 — ns
t
WR
写 恢复 时间 0 — 0 — 0 — 0 — ns
t
WHZ
(3)
写 至 输出 — 7 — 8 — 16 — 20 ns
在 高-z
t
DW
数据 至 写 时间 12 — 12 — 13 — 15 — ns
Overlap
t
DH
(4)
数据 支撑 从 写 0 — 0 — 0 — 0 — ns
时间
t
OW
(3,4)
输出 起作用的 从 0 — 0 — 0 — 0 — ns
终止-的-写
3089 tbl 14
交流 电的 特性
(v
CC
= 5v
±
10%, 所有 温度 范围)
6116SA45 6116SA55
(2)
6116SA70
(2)
6116SA90
(2)
6116SA120
(2)
6116SA150
(2)
6116LA45 6116LA55
(2)
6116LA70
(2)
6116LA90
(2)
6116LA120
(2)
6116LA150
(2)
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
写 循环
t
WC
写 循环 时间 45 — 55 — 70 — 90 — 120 — 150 — ns
t
CW
碎片 选择 至 终止 的 30 — 40 — 40 — 55 — 70 — 90 — ns
写
t
AW
地址 有效的 至 终止 30 — 45 — 65 — 80 — 105 — 120 — ns
的 写
t
作
地址 设置-向上 时间 0 — 5 — 15 — 15 — 20 — 20 — ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 25 — 40 — 40 — 55 — 70 — 90 — ns
t
WR
写 恢复 时间 0 — 5 — 5 — 5 — 5 — 10 — ns
t
WHZ
(3)
写 至 输出 — 25 — 30 — 35 — 40 — 40 — 40 ns
在 高-z
t
DW
数据 至 写 时间 20 — 25 — 30 — 30 — 35 — 40 — ns
Overlap
t
DH
(4)
数据 支撑 从 写 0 — 5 — 5 — 5 — 5 — 10 — ns
时间
t
OW
(3,4)
输出 起作用的 从 0 — 0 — 0 — 0 — 0 — 0 — ns
终止 的 写
注释:
3089 tbl 15
1. 0
°
c 至 +70
°
c 温度 范围 仅有的.
2. –55
°
c 至 +125
°
c 温度 范围 仅有的.
3. 这个 参数 有保证的 和 交流 加载 (图示 2) 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 tested.
4. 这 规格 为 t
DH
必须 是 符合 用 这 设备 供应 写 数据 至 这 内存 下面 所有 运作 情况. 虽然 t
DH
和 t
OW
值 将 相异
在 电压 和 温度, 这 真实的 t
DH
将 总是 是 小 比 这 真实的 t
OW
.
交流 电的 特性
(v
CC
= 5v
±
10%, 所有 温度 范围)
: 点此下载
