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1999 将 25 4
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 电阻-配备 晶体管 PDTA144WU
图.3 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
V
CE
=
−
5v.
(1) T
amb
= 150
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
40
°
c.
handbook, halfpage
MBK806
−
10
−
1
−
1
−
10
−
10
2
I
C
(毫安)
h
FE
10
3
10
10
2
1
(1)
(2)
(3)
图.4 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
I
C
/i
B
= 20.
(1) T
amb
= 100
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
40
°
c.
handbook, halfpage
−
10
2
MBK805
−
10
V
CEsat
(mv)
(2)
(3)
(1)
−
10
−
1
−
1
−
10
−
10
2
I
C
(毫安)
图.5 输入-止 电压 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
V
CE
=
−
5v.
(1) T
amb
=
−
40
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 100
°
c.
handbook, halfpage
−
10
(2)
(3)
(1)
−
1
−
10
−
1
MBK808
−
10
−
2
−
10
−
1
−
1
−
10
I
C
(毫安)
V
i(止)
(v)
图.6 输入-在 电压 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
V
CE
=
−
0.3 v.
(1) T
amb
=
−
40
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 100
°
c.
handbook, halfpage
−
10
2
−
1
−
10
−
10
−
1
MBK807
−
10
−
1
−
1
−
10
−
10
2
I
C
(毫安)
V
i(在)
(v)
(1) (2)
(3)

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1999 将 25 4 飞利浦半导体产品规格 pnp 电阻-配备晶体管 PDTA144WU 图.3 直流电流增益作一个函数的集电级电流; 典型值. V CE = − 5v. (1) T amb = 150 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = − 40 ° c. handbook, halfpage MBK806 − 10 − 1 − 1 − 10 − 10 2 I C (毫安) h FE 10 3 10 10 2 1 (1) (2) (3) 图.4 集电级-发射级饱和电压作一个函数的集电级电流; 典型值. I C /i B = 20. (1) T amb = 100 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = − 40 ° c. handbook, halfpage − 10 2 MBK805 − 10 V CEsat (mv) (2) (3) (1) − 10 − 1 − 1 − 10 − 10 2 I C (毫安) 图.5 输入-止电压作一个函数的集电级电流; 典型值. V CE = − 5v. (1) T amb = − 40 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = 100 ° c. handbook, halfpage − 10 (2) (3) (1) − 1 − 10 − 1 MBK808 − 10 − 2 − 10 − 1 − 1 − 10 I C (毫安) V i(止) (v) 图.6 输入-在电压作一个函数的集电级电流; 典型值. V CE = − 0.3 v. (1) T amb = − 40 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = 100 ° c. handbook, halfpage − 10 2 − 1 − 10 − 10 − 1 MBK807 − 10 − 1 − 1 − 10 − 10 2 I C (毫安) V i(在) (v) (1) (2) (3)

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