2004 8月 17 5
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 电阻-配备 晶体管;
R1=47k
Ω
, r2 = 47 k
Ω
pdtc144e 序列
热的 特性
注释
1. 谈及 至 标准 挂载 情况.
2. 软熔焊接 焊接 是 这 仅有的 推荐 焊接 方法.
3. 谈及 至 sot883 标准 挂载 情况; fr4 和 60
µ
m 铜 strip 线条.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 值 单位
R
th(j-一个)
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 在 自由 空气
SOT54 便条 1 250 k/w
SOT23 便条 1 500 k/w
SOT346 便条 1 500 k/w
SOT323 便条 1 625 k/w
SOT416 便条 1 833 k/w
SOT490 注释 1 和 2 500 k/w
SOT883 注释 2 和 3 500 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流 V
CB
=50v; i
E
=0A
−−
100 nA
I
CEO
集电级-发射级 截-止 电流 V
CE
=30v; i
B
=0A
−−
1
µ
一个
V
CE
=30v; i
B
= 0 一个; t
j
= 150
°
C
−−
50
µ
一个
I
EBO
发射级-根基 截-止 电流 V
EB
=5v; i
C
=0A
−−
90
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=5v; i
C
= 5 毫安 80
−−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
= 0.5 毫安
−−
150 mV
V
i(止)
输入-止 电压 I
C
= 100
µ
一个; v
CE
=5V
−
1.2 0.8 V
V
i(在)
输入-在 电压 I
C
= 2 毫安; v
CE
= 0.3 V 3 1.6
−
V
R1 输入 电阻 33 47 61 k
Ω
电阻 比率 0.8 1 1.2
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0 一个; v
CB
=10v;
f = 1 MHz
−−
2.5 pF
R2
R1
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