Si4816BDY
vishay siliconix
新 产品
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2
文档 号码: 73026
s-41510—rev.一个, 09-8月-04
场效应晶体管 规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
I
D
= 250
一个
ch-1
1.0 3.0
VGate threshold 电压 V
gs(th)
V
DS
=V
GS
,I
D
=250
一个
ch-2
1.0 3.0
V
门 身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v V
GS
= 20 v
ch-1
100
nA门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
= 20 v
ch-2 100
nA
V
DS
= 30 v V
GS
= 0 v
ch-1
1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v
ch-2 100
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v V
GS
= 0 v T
J
= 85
C
ch-1
15
一个
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C
ch-2 2000
在 状态 流 电流
b
I
d( )
V
DS
= 5 v V
GS
= 10 v
ch-1
20
一个在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
= 5 v, v
GS
= 10 v
ch-2 30
一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 6.8 一个
ch-1
0.0155 0.0185
流 源 在 状态 阻抗
b
r
ds( )
V
GS
= 10 v, i
D
= 11.4 一个 ch-2 0.0093 0.0115
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 6.0 一个
ch-1
0.0185 0.0225
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 9.5 一个 ch-2 0.013 0.016
向前 跨导
b
g
f
V
DS
= 15 v, i
D
= 6.8 一个
ch-1
30
S向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 11.4 一个 ch-2 31
S
二极管 向前 电压
b
V
SD
I
S
= 1 一个, v
GS
= 0 v
ch-1
0.73 1.1
V二极管 向前 电压
b
V
SD
I
S
= 1 一个, v
GS
= 0 v ch-2 0.47 0.5
V
动态
一个
总的 门 承担 Q
g
ch-1
7.8 10
Total 门 承担 Q
g
频道-1
ch-2
11.6 18
门 源 承担 Q
频道-1
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 5 v, i
D
= 6.8 一个
ch-1
2.9
nC门-源 承担 Q
gs
频道-2
ch-2 4.8
nC
门 流 承担 Q
d
频道 2
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 5 v, i
D
=
−
11.4 一个
ch-1
2.3
门-流 承担 Q
gd
ch-2 3.7
门 阻抗 R
ch-1
1.5 3.0 4.5
门 阻抗 R
g
ch-2 0.9 1.8 2.7
转变 在 延迟 时间 t
d( )
ch-1
11 17
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
频道 1
ch-2 13 20
上升 时间 t
频道-1
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
ch-1
9 15
上升 时间 t
r
V
DD
= 15 v,R
L
= 15
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
g
= 6
ch-2 9 15
转变 止 延迟 时间 t
d( ff)
g
频道-2
V 1 v r1
ch-1
24 40
ns转变-止 延迟 时间 t
d(止)
频道 2
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v,R
g
=6
ch-2 31 50
ns
下降 时间 t
f
I
D
1 一个, v
GEN
=10 v,R
g
=6
ch-1
9 15
下降 时间 t
f
ch-2 11 17
源 流 反转 恢复 时间 t
I
F
= 1.3 一个, di/dt = 100 一个/
s
ch-1
20 35
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 2.2 一个, di/dt = 100
一个/
s ch-2 25 40
注释
一个. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
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