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STPS0530Z
4/5
10
100
1000
1 10 100
V (v)
R
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
c(pf)
图. 7:
接合面 电容 相比 反转 volt-
age 应用 (典型 值).
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.70 0.80
V (v)
FM
T
j
=25°C
(最大 值)
T
j
=125°C
(最大 值)
T
j
=125°C
(最大 值)
T
j
=125°C
(典型 值)
T
j
=125°C
(典型 值)
I (一个)
FM
图. 8:
向前 电压 漏出 相比 向前 cur-
rent.
0
50
100
150
200
250
300
350
0 102030405060708090100
s(mm²)
R (°c/w)
th(j-一个)
图. 9:
热的 阻抗 接合面 至 包围的 ver-
sus 铜 表面 下面 各自 含铅的 (环氧的 打印
板 fr4, cu=35µm, 典型 值).

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STPS0530Z 4/5 10 100 1000 1 10 100 V (v) R F=1MHz V OSC =30mV RMS T j =25°C c(pf) 图. 7: 接合面电容相比反转 volt- age 应用 (典型值). 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.70 0.80 V (v) FM T j =25°C (最大值) T j =125°C (最大值) T j =125°C (最大值) T j =125°C (典型值) T j =125°C (典型值) I (一个) FM 图. 8: 向前电压漏出相比向前 cur- rent. 0 50 100 150 200 250 300 350 0 102030405060708090100 s(mm²) R (°c/w) th(j-一个) 图. 9: 热的阻抗接合面至包围的 ver- sus 铜表面下面各自含铅的 (环氧的打印板 fr4, cu=35µm, 典型值).

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