标识 参数 值 单位
R
th (j-c)
接合面 至 情况
至-220ab
D
2
PAK
每 二极管
总的
1.60
0.85
°
c/w
sot-93
至-247
每 二极管
总的
1.5
0.8
顶-3i
每 二极管
总的
2.2
1.6
R
th (c)
至-220ab
D
2
PAK
sot-93
至-247
连接 0.10
顶-3i
连接 1.0
当 这 二极管 1 和 2 是 使用 同时发生地:
∆
Tj (二极管 1) = P (diode1) x R
th(j-c)
(每 二极管) + P (二极管 2) x R
th(c)
热的 抵制
标识 参数 值 单位
V
RRM
Repetitive 顶峰 反转 电压 45 V
I
F(rms)
RMS forward 电流 30 一个
I
f(av)
平均 向前 电流
δ
= 0.5
至-220ab
D
2
PAK
sot-93
至-247
Tc = 155
°
C 每 二极管
每 设备
15
30
一个
顶-3i Tc = 150
°
C
I
FSM
Surge 非 repetitive 向前 电流 tp = 10 ms sinusoidal 220 一个
I
RRM
Repetitive 顶峰 反转 电流 tp = 2
µ
s 正方形的
F = 1kHz
1A
I
RSM
非 repetitive 顶峰 反转 电流
tp = 100
µ
s 正方形的
3A
Tstg 存储 温度 范围 -65 至 +175
°
C
Tj 最大 运行 接合面 温度 * 175
°
C
dv/dt 核心的 比率 的 上升 的 反转 电压 10000 v/
µ
s
绝对 比率
(限制的 值, 每 二极管)
*:
dPtot
dTj
<
1
Rth
(
j
−
一个
)
热的 runaway 情况 为 一个 二极管 在 它的 自己的 散热器
stps3045ct/cg/cp/cpi/cw
2/9
: 点此下载
