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TLE 4275
数据 薄板 版本 1.3 2 2001-04-24
Dimensioning 信息 在 外部 组件
这 输入 电容
C
I
是 需要 为 补偿 的 线条 influences. 使用 一个 电阻
的 approx. 1
Ω
在 序列 和
C
I
, 这 oscillating 的 输入 inductivity 和 输入 电容
能 是 damped. 这 输出 电容
C
Q
是 需要 为 这 稳固 的 这 规章制度
电路. 稳固 是 有保证的 在 值
C
Q
≥
22
µ
F 和 一个 等效串联电阻 的
≤
5
Ω
在里面 这
运行 温度 范围.
电路 描述
这 控制 放大器 比较 一个 涉及 电压 至 一个 电压 那 是 均衡的 至 这
输出 电压 和 驱动 这 根基 的 这 序列 晶体管 通过 一个 缓存区. 饱和 控制
作 一个 函数 的 这 加载 电流 阻止 任何 oversaturation 的 这 电源 元素. 这
IC 也 包含 一个 号码 的 内部的 电路 为 保护 相反:
• 超载
• 在-温度
• 反转 极性

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TLE 4275 数据薄板版本 1.3 2 2001-04-24 Dimensioning 信息在外部组件这输入电容 C I 是需要为补偿的线条 influences. 使用一个电阻的 approx. 1 Ω 在序列和 C I , 这 oscillating 的输入 inductivity 和输入电容能是 damped. 这输出电容 C Q 是需要为这稳固的这规章制度电路. 稳固是有保证的在值 C Q ≥ 22 µ F 和一个等效串联电阻的 ≤ 5 Ω 在里面这运行温度范围. 电路描述这控制放大器比较一个涉及电压至一个电压那是均衡的至这输出电压和驱动这根基的这序列晶体管通过一个缓存区. 饱和控制作一个函数的这加载电流阻止任何 oversaturation 的这电源元素. 这 IC 也包含一个号码的内部的电路为保护相反: • 超载 • 在-温度 • 反转极性

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