1n4001-1n4007
1n4001 - 1n4007
1.0 ampere 一般 目的 整流器
绝对 最大 ratings*
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
分离的 电源 &放大; 信号
科技
1998 仙童 半导体 公司
特性
•
低 向前 电压 漏出.
•
高 surge 电流 能力.
参数 设备 单位
4001 4002 4003 4004 4005 4006 4007
顶峰 repetitive 反转 电压 50 100 200 400 600 800 1000 V
最大 rms 电压 35 70 140 280 420 560 700 V
直流 反转 电压 (评估 v
R
)
50 100 200 400 600 800 1000 V
最大 反转 电流
@ 评估 v
R
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 100
°
C
5.0
500
µ
一个
µ
一个
最大 向前 电压 @ 1.0 一个 1.1 V
最大 全部 加载 反转 电流,
全部 循环 T
一个
= 75
°
C
30
µ
一个
典型 接合面 电容
V
R
= 4.0 v, f = 1.0 mhz
15 pF
做-41
颜色 带宽 denotes cathode
标识 参数 值 单位
I
O
平均 调整的 电流
.375 " 含铅的 长度 @ t
一个
= 75
°
C
1.0 一个
i
f(surge)
顶峰 向前 surge 电流
8.3 ms 单独的 half-sine-波
superimposed 在 评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
30 一个
P
D
总的 设备 消耗
减额 在之上 25
°
C
2.5
20
W
mw/
°
C
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 50
°
c/w
T
stg
存储 温度 范围 -55 至 +175
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -55 至 +150
°
C
1.0 最小值 (25.4)
0.107 (2.72)
0.080 (2.03)
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
0.205 (5.21)
0.160 (4.06)
维度 在
英寸 (mm)
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