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资料编号:949414
 
资料名称:MRF284
 
文件大小: 134K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field-Effect Transistors
 
 


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7
mrf284 mrf284s
motorola rf 设备 数据
典型 特性
1.0
f, 频率 (mhz)
1920
11
G
p
, 增益 (db)
10
9
8
7
6
5
4
3
1940 1960 1980 2000
P
输出
= 30 watts (pep)
V
DD
= 26 vdc, i
DQ
= 200 毫安
Two–Tone
频率 delta = 100 khz
增益
η
IMD
VSWR
45
–32
–40
40
30
–36
2.0
3.0
输入 vswr
效率 (%)
35
交调
扭曲量 (dbc)
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
250200150100500
1.e+10
1.e+09
1.e+07
1.e+06
1.e+05
mtbf 因素 (小时 x 放大器 )
这个 图表 显示 计算 mtbf 在 小时 x ampere
2
流 电流.
生命 tests 在 提升 温度 有 correlated 至 更好的 比
±
10%
的 这 theoretical prediction 为 metal 失败. 分隔 mtbf 因素 用 i
D
2
为 mtbf 在 一个 particular 应用.
1.e+08
2
图示 13. mtbf 因素 相比 接合面 温度
1.e+04
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