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资料编号:949952
 
资料名称:2SK3080
 
文件大小: 49K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK3080
2
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
Item 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
30 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
20 V
流 电流 I
D
30 一个
流 顶峰 电流 I
d(脉冲波)
Note1
120 一个
频道 消耗 Pch
Note2
50 W
频道 温度 Tch 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
便条: 1. PW
10
µ
1 %
2. 值 在 tc = 25
°
C
电的 特性
(ta = 25
°
c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏 电压 V
(br)dss
30——V I
D
门 至 源 损坏 电压 V
(br)gss
±
20——V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
零 门 voltege 流电流 I
DSS
——10
µ
AV
DS
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——
±
10
µ
AV
GS
=
±
16v, v
DS
= 0
门 至 源 截止电压 V
gs(止)
1.0 2.0 V I
D
= 1ma, v
DS
= 10v
静态的 流至 源状态
阻抗
R
ds(在)
2028m
I
D
= 15a, v
GS
= 10v
Note3
静态的 流至 源状态
阻抗
R
ds(在)
3550m
I
D
= 15a, v
GS
= 4v
Note3
向前 转移 admittance |y
fs
| 1218—S I
D
= 15a, v
DS
= 10v
Note3
输出 电容 Coss 520 pF V
GS
= 0
反转 转移 电容 Crss 210 pF f = 1mhz
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
16 ns V
GS
= 10v, i
D
= 15a
上升 时间 t
r
260 ns R
L
= 0.67
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
—85—ns
下降 时间 t
f
—90—ns
F
= 30a, v
GS
= 0
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
45 ns I
F
= 30a, v
GS
= 0
dif/ dt =50a/
µ
s
便条: 3. 脉冲波 测试
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