首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:950817
 
资料名称:1N5819HW
 
文件大小: 61K
   
说明
 
介绍:
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号1N5819HW的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号1N5819HW的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号1N5819HW的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号1N5819HW的Datasheet PDF文件第5页
5
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1/5
1N581x
July 2003 - ed: 4A
低 漏出 电源 肖特基 整流器
®
轴的 电源 肖特基 整流器 suited 转变
模式 电源 供应 频率 直流
直流 转换器. Packaged DO41 这些 设备
使用 电压, 频率
反相器, 自由 转动, 极性 保护
电池 chargers.
描述
n
非常 传导 LOSSES
n
NEGLIGIBLE 切换 LOSSES
n
极其 切换
n
向前 电压 漏出
n
AVALANCHE 能力 指定
特性 益处
标识 参数
单位
1N5817 1N5818 1N5819
V
RRM
Repetitive 顶峰 反转 电压
20 30 40 V
I
f(rms)
RMS 向前 电流
10 一个
I
f(av)
平均 向前 电流 T
L
= 125°C
δ
= 0.5
1A
I
FSM
Surge repetitive 向前
电流
tp=10ms
Sinusoidal
25 一个
P
ARM
Repetitive 顶峰 avalanche
电源
tp = 1µs Tj = 25°C
1200 1200 900 W
T
stg
存储 温度 范围
- 65 + 150 °C
Tj
最大 运行 接合面 温度 *
150 °C
dv/dt
核心的 比率 上升 反转 电压
10000 v/µs
绝对 比率
(限制的 值)
I
f(av)
1A
V
RRM
40 V
T
j
150°C
V
F
(最大值) 0.45 V
主要的 产品 特性
DO41
*:
dPtot
dTj Rth j 一个
<
1
()
热的 runaway 情况 一个 二极管 它的 自己的 散热器
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com