2SC1907
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
30 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
19 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
2V
集电级 电流 I
C
50 毫安
发射级 电流 I
E
–50 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
300 mW
接合面 温度 Tj 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
30 — — V I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
19 — — V I
C
= 3 毫安, r
是
=
∞
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
2——VI
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — 0.5
µ
AV
CB
= 10 v, i
E
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
40 — — V
CE
= 10 v, i
C
= 10 毫安
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
— 0.2 1.0 V I
C
= 20 毫安, i
B
= 4 毫安
集电级 输出 电容 Cob — 1.0 2.0 pF V
CB
= 10 v, i
E
= 0, f = 1 mhz
增益 带宽 产品 f
T
900 1100 — MHz V
CE
= 10 v, i
C
= 10 毫安
根基 时间 常量 r
bb’
•
C
C
—1025psV
CB
= 10 v, i
C
= 10 毫安,
f = 31.8 mhz
振动 输出 电源 P
输出
—8 —mWV
CB
= 10 v, i
C
= 10 毫安,
f = 930 mhz