1997 将 01 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 一般 目的 晶体管 2N2484
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
热的 特性
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−
60 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−
60 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
6V
I
C
集电级 电流 (直流)
−
50 毫安
I
CM
顶峰 集电级 电流
−
100 毫安
I
BM
顶峰 根基 电流
−
50 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
≤
25
°
C
−
360 mW
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
200
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
−
65 +150
°
C
标识 参数 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 480 k/w
R
th j-c
热的 阻抗 从 接合面 至 情况 150 k/w