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资料编号:952587
 
资料名称:2SK3337-01
 
文件大小: 91K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
特性
2sk3337-01
fuji 电源 场效应晶体管
0 25 50 75 100 125 150
0
50
100
150
200
250
300
容许的 电源 消耗
pd=f(tc)
pd [w]
tc [°c]
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
100ms
10ms
1ms
100µs
10µs
safe 运行 范围
id=f(vds):单独的 脉冲波,tc=25°c
t=
1µs
d.c.
id [a]
vds [v]
0 2 4 6 8 101214161820222426
0
2
4
6
8
10
12
14
20V
10V
7V
6.0v
5.5v
5.0v
id [a]
vds [v]
典型 输出 特性
id=f(vds):80µs 脉冲波 测试,tch=25°c
vgs=4.5v
012345678
0.01
0.1
1
10
ID[A]
VGS[V]
典型 转移 典型的
id=f(vgs):80µs 脉冲波 测试,vds=25v,tch=25°c
0.1 1 10
0.1
1
10
gfs [s]
id [a]
典型 跨导
gfs=f(id):80µs 脉冲波 测试,vds=25v,tch=25°c
0 2 4 6 8 10 12 14 16
0
1
2
3
4
5
rds(在) [
]
id [a]
典型 流-源 在-状态 阻抗
rds(在)=f(id):80µs 脉冲波 测试,tch=25°c
10V
20V
7V
6.0v
5.5v5.0vvgs=4.5v
t
T
D=
t
T
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