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资料编号:953197
 
资料名称:2SC4959-T1
 
文件大小: 47K
   
说明
 
介绍:
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
 
 


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2SC4959
2
电的 特性 (t
一个
= 25
°
c)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 截止 电流 I
CBO
0.1
µ
AV
CB
= 5 v, i
E
= 0
发射级 截止 电流 I
EBO
0.1
µ
AV
EB
= 1 v, i
C
= 0
直流 电流 增益 h
FE
75 150 V
CE
= 3 v, i
C
= 10 毫安
*1
增益 带宽 产品 f
T
12 GHz V
CE
= 3 v, i
C
= 10 毫安, f = 2.0 ghz
喂养 后面的 电容 C
re
0.4 0.7 pF V
CB
= 3 v, i
E
= 0, f = 1 mhz
*2
嵌入 电源 增益 |S
21e
|
2
7 8.5 dB V
CE
= 3 v, i
C
= 10 毫安, f = 2.0 ghz
噪音 图示 NF 1.5 2.5 dB V
CE
= 3 v, i
C
= 3 毫安, f = 2.0 ghz
*1
脉冲波 度量 ; pw
350
µ
s, 职责 循环
2 % 搏动.
*2
量过的 和 3 terminals 桥, 发射级 和 情况 应当 是 grounded.
h
FE
分类
分级 T83
标记 T83
h
FE
75 至 150
典型 特性 (t
一个
= 25
°
c)
50
200
100
0 50 100 150
40
30
20
10
0
0.5 1.0
V
CE
= 3 v
总的 电源 dissipation
vs.包围的 温度
集电级 电流 vs. 
根基 至 发射级 电压
自由 空气
P
T
– 总的 电源 消耗 – mw
I
C
– 集电级 电流 – 毫安
T
一个
– 包围的 温度 – °c V
– 根基 至 发射级 电压 – v
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