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资料编号:953201
资料名称:
2SC5010-T1
文件大小: 61K
说明
:
介绍
:
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
: 点此下载
1
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4
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7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SC5010
3
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
30
20
10
0
2
4
6
8
14
12
10
8
6
1
2
5
10
20
50
I
B
= 200 a
V
CE
= 3 v
f = 2 ghz
4
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0
0.5
1
2
5
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5020
12
8
4
0
180 a
160 a
140 a
120 a
100 a
80 a
60 a
40 a
20 a
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
V
CE
= 3 v
f = 2 ghz
50
40
30
20
10
0
0.5
1.0
V
CE
= 3 v
150
100
50
0
50
100
150
自由 air
500
200
100
50
20
2
5
10
20
50
100
V
CE
= 3 v
10
1
µ
0.5
总的 电源 消耗 vs.
包围的 temperature
P
T
– 总的 电源 消耗 – mw
T
一个
– 包围的 温度 – ˚c
集电级 电流 vs.
根基 至 发射级 voltage
集电级 电流 vs.
集电级 至 发射级 voltage
直流 电流 增益 vs.
集电级 current
增益 带宽 产品 vs.
集电级 current
嵌入 电源 增益 vs.
集电级 current
I
C
– 集电级 电流 – mah
FE
– 直流 电流 gain
f
T
– 增益 带宽 产品 – ghz
|S
21
e|
2
– 嵌入 电源 增益 – db
I
C
– 集电级 电流 – ma
V
是
– 根基 至 发射级 电压 – v
I
C
– 集电级 电流 – mai
C
– 集电级 电流 – ma
V
CE
– 集电级 至 发射级 电压 – v
I
C
– 集电级 电流 – ma
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