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资料编号:953223
 
资料名称:2SC5195-T1
 
文件大小: 63K
   
说明
 
介绍:
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SC5195
4
1
集电级 电流 i
C
(毫安)
噪音 图示 vs.
集电级 current
V
CE
= 1 v
噪音 图示 nf (db)
72 3 5 10 20
1
2
3
0.1
1
集电级 至 根基 电压 v
CB
(v)
喂养-后面的 电容 vs.
集电级 至 根基 voltage
f = 1 mhz
喂养-后面的 电容 c
re
(pf)
202 5 10
0.5
1.0
0
0.1
频率 f (ghz)
最大 有 增益 / insertion
电源 增益 vs. frequency
0.2 0.5 1 5
10
20
30
0.5
0.1
频率 f (ghz)
噪音 图示 nf (db)
0.2 0.5 1 2
1.0
1.5
MAG
f = 2 ghz
f = 1 ghz
V
CE
= 1 v
I
C
= 5 ma
V
CE
= 1 v
I
C
= 5 ma
最大 有 电源 增益 mag (db)
嵌入 电源 增益 |s
21e
|
2
(db)
|S
21e
|
2
噪音 图示 vs. frequency
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