2SC5509-T2_集成电路资料查询网

数据 薄板  pu10009ej01v0ds
3
2SC5509
典型  特性 (除非 否则 指定, t
一个
= +25
°
°°
°
c)
热的/直流 特性
V
CE
= 2 v
集电级 电流  i
C
(毫安)
根基 至 发射级 电压  v
是
(v)
集电级 电流 vs.
根基 至 发射级 电压
50
40
30
20
10
0 0.40.2 0.6 0.8 1.0 1.2
400
350
300
250
200
150
190
330
100
50
0 25 50 75 100 125 150
总的 电源 消耗  p
tot
(mw)
包围的 温度  t
一个
(˚c), 情况 温度  t
C
(˚c)
总的 电源 消耗 vs. 包围的
温度, 情况 温度
当 情况 温度
是 指定
挂载 在
陶瓷的 基质
(15
×
15 mm, t = 0.6 mm)
自由 空气
200
100
150
50
0
0.01 0.10.001 1 10 100
直流 电流 增益  h
FE
集电级 电流  i
C
(毫安)
直流 电流 增益 vs.
集电级 电流
V
CE
= 2 v
集电级 电流  i
C
(毫安)
集电级 至 发射级 电压  v
CE
(v)
集电级 电流 vs.
集电级 至 发射级 电压
150
50
100
021435
200   一个
µ
100   一个
µ
300   一个
µ
400   一个
µ
500   一个
µ
600   一个
µ
700   一个
µ
800   一个
µ
900   一个
µ
1 000   一个
µ
I
B
= 1 100   一个
µ
电容/f
T
特性
f = 1 mhz
反转 转移 电容  c
re
(pf)
集电级 至 根基 电压  v
CB
(v)
反转 转移 电容
vs. 集电级 至 根基 电压
1.00
0.60
0.80
0.20
0.40
0 1.0 3.0 4.02.0 5.0
V
CE
= 3 v
f = 2 ghz
增益 带宽 产品  f
T
(ghz)
集电级 电流  i
C
(毫安)
增益 带宽 产品
vs. 集电级 电流
30
25
20
15
10
5
0
10 1001 1 000

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数据薄板 pu10009ej01v0ds 3 2SC5509 典型特性 (除非否则指定, t 一个 = +25 ° °° ° c) 热的/直流特性 V CE = 2 v 集电级电流 i C (毫安) 根基至发射级电压 v 是 (v) 集电级电流 vs. 根基至发射级电压 50 40 30 20 10 0 0.40.2 0.6 0.8 1.0 1.2 400 350 300 250 200 150 190 330 100 50 0 25 50 75 100 125 150 总的电源消耗 p tot (mw) 包围的温度 t 一个 (˚c), 情况温度 t C (˚c) 总的电源消耗 vs. 包围的温度, 情况温度当情况温度是指定挂载在陶瓷的基质 (15 × 15 mm, t = 0.6 mm) 自由空气 200 100 150 50 0 0.01 0.10.001 1 10 100 直流电流增益 h FE 集电级电流 i C (毫安) 直流电流增益 vs. 集电级电流 V CE = 2 v 集电级电流 i C (毫安) 集电级至发射级电压 v CE (v) 集电级电流 vs. 集电级至发射级电压 150 50 100 021435 200 一个 µ 100 一个 µ 300 一个 µ 400 一个 µ 500 一个 µ 600 一个 µ 700 一个 µ 800 一个 µ 900 一个 µ 1 000 一个 µ I B = 1 100 一个 µ 电容/f T 特性 f = 1 mhz 反转转移电容 c re (pf) 集电级至根基电压 v CB (v) 反转转移电容 vs. 集电级至根基电压 1.00 0.60 0.80 0.20 0.40 0 1.0 3.0 4.02.0 5.0 V CE = 3 v f = 2 ghz 增益带宽产品 f T (ghz) 集电级电流 i C (毫安) 增益带宽产品 vs. 集电级电流 30 25 20 15 10 5 0 10 1001 1 000

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