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资料编号:953408
 
资料名称:2SD1367
 
文件大小: 31K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial
 
 


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2SD1367
4
直流 电流 转移 比率 vs.
集电级 电流
集电级 电流 i
C
(毫安)
1 3 10 30 100 300 1,000
10
30
100
300
1,000
30,00
10,000
直流 电流 转移 比率 h
FE
Pusle
V
CE
= 2 v
ta = 75
°
C 25
–25
饱和 电压 vs. 集电级 电流
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3.0
集电级 电流 i
C
(毫安)
3 10 30 100 300 1,000 3,000
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
CE
(sat)
(v)
根基 至 发射级 饱和 电压
V
(sat)
(v)
V
(sat)
V
CE
(sat)
l
C
= 10 l
B
集电级 输出 电容 vs.
集电级 至 根基 电压
集电级 输出 电容 c
ob
(pf)
集电级 至 根基 电压 v
CB
(v)
0.1 0.3 1.0 3 10
10
30
100
300
1,000
f = 1 mhz
I
E
= 0
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