2SD1490
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
70 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
50 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
6V
集电级 电流 I
C
1A
集电级 电源 消耗 P
C
0.75 W
接合面 温度 Tj 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
70 — — V I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
50 — — V I
C
= 1 毫安, r
是
=
∞
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
6——VI
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
——1
µ
AV
CB
= 80 v, i
E
= 0
发射级 截止 电流 I
EBO
— — 0.2
µ
AV
EB
= 6 v, i
C
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
*
1
100 — 500 V
CE
= 2 v, i
C
= 0.1 一个
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
— — 0.3 V I
C
= 1 一个, i
B
= 0.1 一个
增益 带宽 产品 f
T
— 80 — MHz V
CE
= 2 v, i
C
= 10 毫安
集电级 输出 电容 Cob — 20 — pF V
CB
= 10 v, i
E
= 0, f = 1 mhz
便条: 1. 这 2sd1490 是 grouped 用 h
FE
作 跟随.
BCD
100 至 200 160 至 320 250 至 500
看 典型的 曲线 的 2sd789.
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