2sd669, 2sd669a
3
电的 特性
(ta = 25°c)
2SD669 2SD669A
Item 标识 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基
损坏 电压
V
(br)cbo
180 — — 180 — — V I
C
= 1 毫安, i
E
= 0
集电级 至 发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
120 — — 160 — — V I
C
= 10 毫安, r
是
=
∞
发射级 至 根基
损坏 电压
V
(br)ebo
5——5——VI
E
= 1 毫安, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
——10——10
µ
AV
CB
= 160 v, i
E
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE1
*
1
60 — 320 60 — 200 V
CE
= 5 v, i
C
= 150 ma*
2
h
FE2
30 — — 30 — — V
CE
= 5 v, i
C
= 500 ma*
2
集电级 至 发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
——1 ——1 V I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 ma*
2
根基 至 发射级 电压 V
是
— — 1.5 — — 1.5 V V
CE
= 5 v, i
C
= 150 ma*
2
增益 带宽 产品 f
T
— 140 — — 140 — MHz V
CE
= 5 v, i
C
= 150 ma*
2
集电级 输出
电容
Cob — 14 — — 14 — pF V
CB
= 10 v, i
E
= 0,
f = 1 mhz
注释: 1. 这 2sd669 和 2sd669a 是 grouped 用 h
FE1
作 跟随.
2. 脉冲波 测试.
BCD
2SD669 60 至 120 100 至 200 160 至 320
2SD669A 60 至 120 100 至 200 —
最大 集电级 消耗
曲线
30
20
10
0 50 100 150
情况 温度 t
C
(
°
c)
集电级 电源 消耗 p
C
(w)
3
1.0
0.3
集电级 电流 i
C
(一个)
0.01
0.03
0.1
33010 3001 100
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
范围 的 safe 运作
直流 运作(t
C
= 25
°
c)
(13.3 v, 1.5 一个)
(40 v, 0.5 一个)
(120 v, 0.04 一个)
(160 v, 0.02a)
2SD669A
2SD669
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