©
1999, 2000
mos 地方 效应 晶体管
2SK3355
切换
n-频道 电源 mos 场效应晶体管
工业的 使用
数据 薄板
文档 非. d14132ej2v0ds00 (2nd 版本)
日期 发行 将 2000 ns cp(k)
打印 在 日本
这 信息 在 这个 文档 是 主题 至 改变 没有 注意. 在之前 使用 这个 文档, 请
confirm 那 这个 是 这 最新的 版本.
不 所有 设备/类型 有 在 每 country. 请 审查 和 local nec 代表 为
有效性 和 额外的 信息.
这 mark
★
显示 主要的 修订 点.
描述
这 2sk3355 是 n-频道 mos 地方 效应 晶体管
设计 为 高 电流 切换 产品.
特性
•
超级的 低 在-状态 阻抗:
R
ds(在)1
= 5.8
m
Ω
最大值 (v
GS
= 10
v, i
D
= 42
一个)
R
ds(在)2
= 8.8
m
Ω
最大值 (v
GS
= 4.0
v, i
D
= 42
一个)
•
低 c
iss
: c
iss
= 9800
pf 典型值
•
建造-在 门 保护 二极管
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c)
流 至 源 电压 V
DSS
60 V
门 至 源 电压 V
gss(交流)
±
20 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±
83 一个
流 电流 (脉冲波)
Note1
I
d(脉冲波)
±
332 一个
总的 电源 消耗 (t
C
= 25°c) P
T
100 W
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25°c) P
T
1.5 W
频道 温度 T
ch
150 °C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 °C
单独的 avalanche 电流
Note2
I
作
75 一个
单独的 avalanche 活力
Note2
E
作
562 mJ
注释 1.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1 %
2.
开始 t
ch
= 25 °c, r
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 v
→
0 v
热的 阻抗
频道 至 情况 R
th(ch-c)
1.25
°
c/w
频道 至 包围的 R
th(ch-一个)
83.3
°
c/w
订货 信息
部分 号码 包装
2SK3355
至-220ab
2sk3355-s
至-262
2sk3355-zj
至-263
2sk3355-z
至-220smd
便条
便条
至-220smd 包装 是 生产 仅有的
在 日本.
★
(至-220ab)
(至-262)
(至-263, 至-220smd)