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资料编号：953521
 
资料名称：2SK3479-ZJ
 
文件大小： 76K
   
说明：
 
介绍:
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
 
 


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数据 薄板 d15077ej1v0ds
6
2SK3479
单独的 avalanche 电流 vs.
inductive 加载
l - inductive 加载 - h
I
作
- 单独的 avalanche 电流 - 一个
10
100
1000
1
m10
m
V
DD
= 50
V
R
G
= 25
Ω
V
GS
= 20
→
0
V
I
作
= 65
一个
10
µ
100
µ
1
E
作
=
422
mJ
单独的 avalanche 活力
减额 因素
开始 t
ch
- 开始 频道 温度 -
˚
C
活力 减额 因素 - %
25 50
75 100
160
140
120
100
80
60
40
20
0
125 150
V
DD
= 50 v
R
G
= 25
Ω
V
GS
= 20
→
0 v
I
作
≤
65 一个
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