关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:95553
资料名称:
2SK3456-ZJ
文件大小: 70.16K
说明
:
介绍
:
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d14753ej1v0ds
3
2SK3456
典型 特性 (t
一个
= 25°c)
流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
0
0
20
30
40
10
10
20
30
5
15
25
35
V
GS
= 20 v
搏动
10 v
向前 转移 特性
V
GS
-
门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
0.001
0.1
0.01
1
10
100
010
515
−
50˚C
−
25˚C
25˚C
125˚C
75˚C
T
一个
=
150˚C
搏动
V
DS
= 10 v
门 至 源 截-止 电压 vs.
频道 温度
T
ch
- 频道 温度 -
˚
C
V
gs(止)
- 门 至 源 截-止 电压 - v
V
DS
= 10 v
I
D
= 1 毫安
−
50
0
150
50
0
1.0
100
2.0
3.0
4.0
向前 转移 admittance vs.
流 电流
|y
fs
| - 向前 转移 admittance - s
I
D
- 流 电流 - 一个
1
1
0.1
0.01
10
100
10
1000.1
−
25
˚
C
25
˚
C
75
˚
C
125
˚
C
T
一个
=
−
50
˚
C
150
˚
C
V
DS
= 10 v
搏动
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
门 至 源 电压
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
Ω
0
0
5
0.4
10
15
20
1.2
1.4
0.8
0.2
1.0
0.6
搏动
6.0 一个
2.4
一个
I
D
= 12
一个
流 至 源 在-状态
阻抗 vs. 流 电流
I
D
- 流 电流 - 一个
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
Ω
10.1
1.5
0.9
0.3
0
1.2
0.6
10
100
搏动
V
GS
= 10 v
20 v
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com