绝对 最大 比率
(注释 2, 3)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
pleasecontactthe
CSMSC
Semiconductor出售s办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 6.0v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
输入 电压 −0.3v 至 V
DD
+0.3v
电源 消耗 (p
D
) (便条 4) 内部 限制
静电释放 Susceptibility (便条 5) 3.5kv
静电释放 Susceptibility (便条 6) 250V
接合面 温度 (t
J
) 150˚C
焊接 信息 (便条 1)
小 外形 包装
Vapor 阶段 (60 秒) 215˚C
Infrared (15 秒) 220˚C
热的 阻抗
θ
JC
(msop) 56˚c/w
θ
JA
(msop) 210˚c/w
θ
JC
(sop) 35˚c/w
θ
JA
(sop) 170˚c/w
θ
JA
(llp) 117˚c/w (便条 10)
θ
JA
(llp) 150˚c/w (便条 11)
运行 比率
(注释 2, 3)
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
85˚C
供应 电压 2.0v
≤
V
CC
≤
5.5v
电的 特性 V
DD
=5V
(注释 2, 3)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 5v, R
L
=16
Ω
除非 否则 陈述. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
HWD21
19
单位
(限制)
典型 限制
(便条 7) (注释 8, 9)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, I
o
= 0A 1.5 3.0 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
PIN1
=V
DD
(便条 12) 1.0 5.0 µA (最大值)
V
SDIH
关闭 电压 输入 高 4.0 V (最小值)
V
SDIL
关闭 电压 输入 低 1.0 V (最大值)
V
OS
输出 补偿 电压 V
在
= 0V 5 50 mV (最大值)
P
O
输出 电源
THD = 10%, f
在
= 1kHz 350 mW
THD = 10%, f
在
= 1khz, R
L
=8
Ω
300 mW
THD+N 总的 调和的 扭曲量 + 噪音 P
O
= 270mW
RMS
,一个
VD
=2,f
在
=
1kHz
1%
电的 特性 V
DD
=3V
(注释 2, 3)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 3V 和 R
L
=16
Ω
加载 除非 否则 陈述. 限制 应用 至 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
HWD21
19
单位
(限制)
典型 限制
(便条 7) (注释 8, 9)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, I
o
= 0A 1.0 3.0 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
PIN1
=V
DD
(便条 12) 0.7 5.0 µA (最大值)
V
SDIH
关闭 电压 输入 高 2.4 V (最小值)
V
SDIL
关闭 电压 输入 低 0.6 V (最大值)
V
OS
输出 补偿 电压 V
在
= 0V 5 50 mV
P
O
输出 电源
THD = 10%, f
在
= 1kHz 110 mW
THD = 10%, f
在
= 1khz, R
L
=8
Ω
90 mW
THD+N 总的 调和的 扭曲量 + 噪音 P
O
= 80mW
RMS
,一个
VD
=2,f
在
=
1kHz
1%
2